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1.
扫描电镜背散射装置及数据处理系统   总被引:1,自引:1,他引:0  
电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件,此装置在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了背散射衍射接收系统,该系统的CCD以快速方式接收的灵 为5mlux,积累方式接收的灵敏度为10μlux,分辨率为512dpi,扫描卡最高的分辨率为4096X4096。并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM-840扫描电镜上,此系统设计合理,结构简单,操作方便安全。同时根据Hough变换的原理,编写了识别电子背散射衍射花样的软件,实现了全自动实时识别此花样,给出相应的数据。  相似文献   
2.
RelationofDepositionConditionwithMicrostructureofYBCOFilmandYSZBuferLayeronMetalicSubstrateWangJing,LiuAnsheng,ShiDongqi,Wan...  相似文献   
3.
高压电子显微镜的原位技术是研究金属和其他材料中晶体缺陷的一种重要的、有效的方法。本文研究了中温条件下铜中辐照缺陷的形成、演变过程,详细地介绍了所采用的缺陷分析方法。结果表明,层错环在{111}面上,为间隙型;其周界为弗兰克型不全位错,柏氏矢量(?)=a/3 <111>,这种不全位错只能在{111}面上攀移,不能滑移;当层错长到一定大小时,层错面经a/6 <112>型切变发生非层错化反应,层错消失,留下柏氏矢量(?)=a/2 <110>型的全位错。最后文中讨论了非层错化反应过程的能量。  相似文献   
4.
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.  相似文献   
5.
为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.  相似文献   
6.
高压电子显微镜的发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了高压电子显微镜的发展历史、现状以及应用情况和对未来的展望。  相似文献   
7.
MicrostructureofYBCOSuperconductingFilmonMetalSubstratewithYSZBuferLayerWangJing(王敬),LiuAnsheng(刘安生),ShiDongqi(石东奇),WangXiao...  相似文献   
8.
StudyonMagneticDomainsinSm-CoBasedAlloyLiuAnsheng,ShaoBeiling,WangXiaohuaandWangJing(刘安生)(邵贝羚)(王晓华)(王敬)(GeneralResearchInstit...  相似文献   
9.
研究了两种在金属基体(HasteloyC)上沉积的、以钇稳定的ZrO2(YSZ)为过渡层的YBa2Cu3O7-y薄膜结构,并讨论了结构与沉积条件的关系。当沉积速率低时,YSZ层致密、均匀,存在织构取向,且与基体连接良好;而高速率沉积的YSZ层疏松,与基体结合差。YBCO薄膜的结构和性能与沉积时的基体温度相关。  相似文献   
10.
siCp/Al复合材料的组织与断口分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对国内外以铸造法制备的碳化硅颗粒增强铝(SiCp/Al)复合材料的组织与断口进行了观测和对比分析。低倍观测结果表明,在两种复合材料中碳化硅颗粒的分布都较均匀,无严重团聚现象。在高倍下发现碳化硅颗粒优先分布在晶界附近,形成“晶界花边”。SiCp/Al复合材料断口上肉眼可见的亮点可能是铸造孔洞的反映。  相似文献   
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