玉米纹枯病的发生原因与防治措施

介绍了玉米纹枯病的发病症状。针对玉米纹枯病的发生原因,提出综合防治措施。     

合成气和硫化氢气氛下Rh表面扩散的密度泛函理论研究（英文）

为了探究Rh催化剂的烧结现象及提高催化剂的稳定性,采用密度泛函理论研究了不同温度下CO,H_2和H_2S气氛下Rh物种在Rh(111)表面上的扩散速率。结果表明:在CO和H2气氛下,随着温度的升高,Rh-CO和Rh-H复合体的迁移速率增大,CO和H_2加速了Rh表面物种的扩散,进而促进了Rh的烧结;在H2S气氛下,Rh-S复合体的形成能是负值,Rh表面上非常容易形成Rh-S复合体。尽管H_2S的浓度仅为几个10-6数量级,但是Rh-S复合体的迁移速率远远大于Rh团簇、Rh-CO和Rh-H复合体的迁移速率。因此,Rh催化剂对H2S极其敏感,表现出较低的耐硫性。     

B2型UA′^＋的基及其基变换

令v是未定元,A=Z[v,v^-1],A=Q（v）是A的分式域.UA′是A′上相伴于B2型Cartan矩阵（aij）的量子代数.分析了UA′的子代数UA′^＋的两组包含无限个元素的典范基的结构,对于一组基中任一元素,都可以在这组基中找到一个包含该元素的有限集合,同时在另一组基中可以找到一个对应的有限集合,这两个集合元素个数相等,两者元素可互相表出.     

沙里宁有机疏散理论研究综述

通过对相关文献的统计、收集与分析,从我国学者对沙里宁有机疏散思想的各方面研究出发,对有机疏散理论产生的时代背景、内容、原则、与其他城市分散理论的区别等进行了概述,并分析了该理论所面临的问题,为该理论在未来城市规划中的应用提供了参考依据。     

浅谈玉米制种技术

高质量的玉米杂交种子是保证玉米高产稳产的关键。在杂交种制种过程中,真正掌握和严格落实杂交制种技术,严格把好亲本种子质量及隔离区的设置、花期调节、去杂、去雄、收获等重要环节,生产出高质量的合格杂交种子,为玉米生产提供良好的种子保证。     

微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种类生长设备的差异,对单晶、多晶及纳米晶金刚石在器件散热应用中的现状进行总结,结合第3代半导体总结了金刚石增强散热产业化过程中将面临的性能与尺寸方面的瓶颈问题及金刚石材料“大、纯、快”的发展方向,并对散热应用的未来研究方向做出展望。     

强化研磨-超精加工时间对轴承套圈表面粗糙度的影响

为了探究强化研磨-超精加工时间对轴承套圈滚道表面粗糙度的影响规律,针对61910轴承内圈进行不同时间的强化研磨加工和超精加工。结果表明:随着强化研磨时间的增加,表面粗糙度先增加后减少,随后保持稳定;随超精加工时间的增加,表面粗糙度快速降低后保持稳定。     

Sobolev型方程各向异性Carey元解的高精度分析

利用积分恒等式和插值后处理技术,本文在各向异性网格上对Sobolev型方程的Carey非协调有限元解进行高精度算法分析.首先,根据Carey元的特性,即其有限元解的线性插值和线性元解相同,我们构造插值后处理算子,得到了有限元解的超逼近性质和整体超收敛及后验误差估计.接着,根据误差渐近展开式,运用外推方法,进一步得到了具有四阶精度的近似解.     

谈盾构隧道管片接头模型研究现状

采用模型分析对盾构隧道管片接头力学性能进行了研究,通过分类阐述领域内学者的研究成果,对管片接头模型研究现状进行了系统总结,并对三类模型的研究特点及进展作了分析,为类似研究提供参考。     

等离子体聚集装置下的高能量密度单晶金刚石快速生长研究

单晶金刚石是一种性能优异的晶体材料,在先进科学领域具有重要的应用价值。在微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)单晶金刚石生长中,如何提高晶体的生长速率一直是研究者们关注的重点问题之一,而采用高能量密度的等离子体是提高单晶金刚石生长速率的有效手段。在本研究中,首先通过磁流体动力学(Magnetohydrodynamic,MHD)模型仿真计算,优化设计了特殊的等离子体聚集装置;随后基于模拟结果进行生长实验,采用光谱分析和等离子体成像对等离子体性状进行了研究,制备了单晶金刚石生长样品;并通过光学显微镜、拉曼光谱对生长样品进行测试。模拟结果显示,聚集条件下的核心电场和电子密度是普通条件下的3倍;生长实验结果显示,在常规的微波功率(3500W)、生长气压(18kPa)下得到的高能量密度(793.7 W/cm3)的等离子体与模型计算结果吻合。高能量密度生长条件并不会对生长形貌产生较大影响,但加入一定量氮气能够显著改变生长形貌,并对晶体质量产生影响。采用这种方法,成功制备了高速率(97.5μm/h)单晶金刚石。不...