用聚硅氧烷和羟甲基纤维素制备泡沫陶瓷

选用聚硅氧烷为主要原料，用羟甲基纤维素为造孔剂，制备了SiOC泡沫陶瓷。研究了造孔剂含量、成型压力、裂解温度对泡沫陶瓷抗压强度及孔隙率的影响，并对泡沫陶瓷的微观形貌进行了分析。结果表明，随着造孔剂含量的增加，泡沫陶瓷的孔隙率随之增大，而抗压强度则随之降低；在40MPa～120MPa的成型压力范围内，随着成型压力的增加，泡沫陶瓷的孔隙率逐渐降低，而抗压强度不断增加；在10001400℃温度范围内，随着裂解温度的升高，泡沫陶瓷的抗压强度先增加后降低，而孔隙率不断降低；当羟甲基纤维素的含量为50％、成型压力为80MPa、裂解温度为1250℃时，所制备的泡沫陶瓷的抗压强度为43MPa，孔隙率为51％。微观结构分析显示，SiOC泡沫陶瓷微孔分布均匀，以三维交错的网状孔道相互贯穿。     

采用聚硅氮烷制备SiCN泡沫陶瓷

采用含乙烯基聚硅氮烷为原料，利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiCN泡沫陶瓷。通过聚氨酯泡沫及聚硅氮烷的热分析制定温度曲线，研究了裂解温度、浸渍／裂解增强处理次数等工艺参数对泡沫陶瓷抗压强度的影响，采用XRD、SEM及EDS对SiCN泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成分分析。结果表明，在1000～1400℃温度范围内，随着温度的升高，泡沫陶瓷的抗压强度先升高后降低，增强处理对提高抗压强度有明显效果，当裂解温度为1300℃，经二次增强处理后，试样的抗压强度达11．5MPa。XRD研究表明，随着温度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构分析显示，SiCN泡沫陶瓷呈三维网状结构，具有良好的贯通性，开孔气孔率达到85％。     

浅谈材料加工课程教学改革

材料加工课程是材料科学与工程专业的基础课程,课程教学改革是高校培养创新型人才的重要环节。文章从加强教学方式改革及大力培养学生动手能力的角度,阐述了该课程教学改革与实践,丰富了教学方式:多媒体教学、讨论式教学、提问式教学、网络教学、实验教学、校企合作教学。     

块菌红酒的抗氧化活性研究

分别测定了块菌乙醇提取液、自制红葡萄酒清除自由基的抗氧化活性能力,以及块菌乙醇提取液和自制红葡萄酒两者不同比例混合液清除自由基的抗氧化活性能力。结果表明,块菌乙醇提取液、自制红葡萄酒均有较好的抗氧化活性,而两者不同比例的混合液则有更高的抗氧化活性。     

制备态(Fe88Zr7B5)100-xCux非晶薄膜的磁特性和巨磁阻抗

采用射频溅射法在单晶Si衬底上制备了Fe88Zr7B5)100-xCux(x=0、1、2、3、4)非晶薄膜样品,对其软磁特性和巨磁阻抗(GMI)变化行为进行了测量和研究。测量结果显示,加入适量Cu元素(x=3)的制备态样品具有极好的软磁性能和GMI效应,此样品的矫顽力仅有56A/m,在13MHz的频率下,最大有效磁导率(μe)比和GMI比分别为42.5%和17.0%。研究发现,制备态样品的电阻R、电抗X和阻抗Z都随Cu含量的增加而下降。X=0、4两个样品的μe、R、X、Z对外加磁场响应极不敏感,只有软磁性能优异的x=3样品的μe、R、X、Z才显示出对外加磁场响应敏感,因而有显著的GMI效应。样品拥有高的磁导率、小的矫顽力和低的电阻率是获得大GMI效应的本质条件。     

碳纤维镀铜工艺研究

研究了碳纤维镀铜化学镀温度、pH值、甲醛初始浓度和装载量等对镀铜时间和镀层质量等的影响,发现随着温度的上升镀铜所需要的时间逐渐减少;pH值升高有利于反应时间缩短;随甲醛初始浓度增加孕育期缩短,但是当超过18mL／L时孕育期将不再缩短反而有少量延长的趋势。通过光学显微镜和电子探针观察了镀层质量,发现当温度在70％～75℃,pH值13左右,甲醛初始浓度12mL／L,装载量为0．1g碳纤维每50mL镀液时,用电镀进行复合镀,能够用较短的时间获得光滑致密的镀铜层。     

模板法制备半导体纳米阵列及其形态调控

以聚苯乙烯单层胶体晶体为模板,分别采用溶液浸渍法和磁控溅射法制备Ti O2和Zn O二维纳米阵列。研究了前驱体浓度、溅射时间和溅射功率对纳米阵列形态的影响,研究发现随着前驱体浓度的降低,Ti O2纳米阵列的形貌由孔状变为环状。对于特定的Zn O孔状阵列,随着溅射功率的增大和溅射时间的延长,阵列的表面形貌也出现了明显的变化。结果表明,利用模板法制备的纳米阵列的形态可通过实验参数来进行调控。     

水热合成法制备ZnO纳米棒有序阵列薄膜

采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出ZnO纳米棒有序阵列薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明：所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]方向择优生长,纳米棒的平均直径和长度分别为10．0nm和3．3μm。     

超薄CdS纳米片的制备及光催化性能研究

环境污染和能源短缺是当下高速发展社会所带来的严峻问题,半导体光催化材料是解决该类问题的一种有效手段。CdS作为一种典型具有窄能隙的Ⅱ-Ⅵ半导体,能在可见光区域对光发生响应,是一种潜在的可应用的半导体光催化材料。本文介绍了各类半导体光催化材料的研究进展,着重介绍了硫化镉(CdS)的光催化性能、物化特性及其制备方法。采用水热法制备纳米片层状硫化镉,通过降解有机污染物甲基橙来评价其光催化性能,利用SEM和XRD对其微观形貌和晶体结构进行了表征。结果表明,所制备的样品为六方纤锌矿结构CdS;样品为层片结构,其片的厚度大约为10nm;片状纳米CdS具有较好的可见光催化效率,CdS对甲基橙的光降解速率k为0.00582h~(-1)。     

采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷

采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷.研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析.结果表明,在1200～1400℃温度范围内,PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.随着连接温度的升高,连接强度先升高后降低;浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度;另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度.当连接温度为1300℃,纳米SiC填料(质量分数)为5%时,经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33.5 MPa.微观结构分析显示,连接层厚度约为3～4 μm,连接层与母材之间界面接合良好.