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2.
真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0~ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。 相似文献
3.
铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性,并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较。EBIC观察发现,在铸造多晶硅中,热处理的冷却速率和结晶学缺陷(如晶界和位错)共同影响着铜在多晶硅中的扩散和沉淀性质。样品在快速冷却时,在晶界以及晶粒内形成了很高密度且分布较均匀的细小铜沉淀;而在慢速冷却时,则是形成密度较低,较大尺寸的铜沉淀。EBIC的衬度计算显示,慢速冷却下形成的铜沉淀具有更强的复合特性,且铜沉淀在晶界上的分布具有选择性。最后,讨论了铜沉淀在铸造多晶硅中的形成机理。 相似文献
4.
5.
化学沉积法制备CdS薄膜及性质研究 总被引:4,自引:1,他引:4
利用化学沉积(CBD)的方法制备立方相的CdS薄膜。实验表明,在无搅拌、柠檬酸钠作为络合剂的条件下,在溶液的配方为0.02mol/L的CdCl2、0.02mol/L的柠檬酸钠、0.05mol/L的CS(NH2)2的体系中,当pH值为11.5,溶液温度为80℃时,在ITO玻璃上沉积得到CdS薄膜的前驱体,再把所得的前驱体在350℃,N2保护下热处理两个小时经x射线衍射(xRD)和扫描电镜分析,表面薄膜是结晶良好、立方相、表面均匀光滑的CdS薄膜。随着热处理温度的提高,CdS薄膜的晶化程度有很大的提高,晶粒有明显的长大,其光学性能也有很大的改善。 相似文献
6.
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利用低温红外光谱技术(8K),研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温1300℃退火时的性质,实验指出,在此高温退火时,硅单晶中的原生氮-氧复合体被逐渐分解,氮杂质以很高的扩散速率,迅速外扩散 相似文献
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9.
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采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律. 红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃. 同时,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示,快冷(30K/s)时,形成高密度的小铜沉淀团;而慢冷(0.3K/s)导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度. 最后,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理. 相似文献