用PLC实现纯化水储存与分配系统的自动控制

本文介绍了纯化水储存与分配系统的自动控制,并阐述PLC控制系统的结构、功能、编程方法。     

湖北省十堰地区铀矿赋矿层地球化学特征

湖北省地区铀矿化受一定层位控制,赋矿地层为下寒武统庄子沟组。地球化学特征显示其富含放射线,富铀载体较同一沉积盆地中的其他沉积岩具有较高的稀土元素、微量元素含量;黑色岩系沉积环境处于大陆边缘环境,炭硅质岩则接近深海环境,沉积岩的物质来源为陆源和热水物质共同参与。     

大洋富钴结壳选矿尾矿的表面改性及应用研究

采用酸、碱、盐、有机物等药剂对大洋富钴结壳选矿尾矿进行了单一及复合改性处理,并将改性后的尾矿直接用于吸附模拟废水中的Cu2+、Pb2+、Zn2+、Cd2+等重金属离子,以评价改性效果。结果表明,NaOH、CJ盐和有机物CMB可以提高大洋富钴结壳选矿尾矿的吸附能力,其中CJ盐的改性效果最佳。当CJ占矿重百分比为25%时,CJ改性后尾矿对Cu2+和Pb2+的最大吸附率分别可达49.86%和97.70%,比未改性尾矿的吸附率分别要高出23%和9%以上;而对于Cd2+和Zn2+来说,当CJ占矿重百分比分别为50%和75%时,CJ改性后尾矿对它们的吸附率达最大,分别为38.86%和61.45%,比未改性尾矿的吸附率要高出10%和20%以上。     

传承奥运圣火 谱写宏伟篇章——解读2008奥运场馆电气设计

2003年12月24日,为2008年北京奥运会而兴建的国家体育场和国家游泳中心工程在北京举办了奠基仪式,并破土动工,这标志着北京奥运会场馆建设工程的全面启动。2003年12月28日,2008年北京奥运会老山自行车馆、北京射击馆奠基。2004年1月11日,天津奥林匹克中心配套项目案名“时代奥城”正式敲定。2006年底之前,主要奥运场馆和设施建设将全面竣工,以崭新的面貌迎接2008年奥林匹克盛会。为了让广大读者及时了解奥运场馆建设的进展情况,本刊近期对已开工或奠基的国家体育场、国家游泳中心、北京射击馆和天津奥林匹克中心等项目的机电专业负责人进行了专访。     

浅析奥运射击馆智能化系统初步设计

随着计算机技术的发展以及各项新技术的普及应用,建筑智能化系统经历模拟向数字、单一向集成的综合发展过程,并逐渐变得成熟起来。而体育场馆不同于普通民用建筑,其专业性强、技术要求高的特点,使其对体育智能化系统有着更高的要求。北京射击馆是北京2008年奥运会首批建设的场馆之一,其智能化系统初步设计,结合我们在智能化系统的多年经验,针对射击专项比赛特点、需求,充分体现“绿色奥运”、“科技奥运”、“人文奥运”的奥运理念和“新北京”、“新奥运”的主题。北京射击馆建设包含有资格赛馆、决赛馆、枪弹库以及冷冻站、中心配电机房等…     

寒冷地区冬期混凝土结构养护质量的保证措施

在寒冷地区的冬季进行施工,会由于气温低而导致混凝土施工养护难度较高。以兰石装备制造工业园行政中心办公楼项目工程为例,对寒冷地区冬期混凝土结构养护施工相关措施进行了探讨,以期为相关工程施工提供借鉴。     

推进大学生内化社会主义核心价值体系的创新研究

要实现社会主义核心价值体系的说服力和影响力,将其真正转化成为大学生的内在追求,成为推动实践的前进动力.通过理念创新研究,让大学生认为社会主义核心价值体系可信;路径创新研究,让大学生认为社会主义核心价值体系能信;成效创新研究,让大学生对社会主义核心价值体系真信.     

单根CuTCNQ纳米线的电学开关特性

用溶液法制备了CuTCNQ纳米线。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱(Raman)研究了CuTC-NQ纳米线的电荷转移情况。研究了其不同温度下的电学特性。CuTCNQ纳米线的长度为1～8μm,直径50～300nm。XRD结果显示制备得到的CuTCNQ为Ⅰ相。研究表明,在外加电场作用下,单根CuTCNQ纳米线表现出可逆的电开关特性,阻态转变前后其电阻的变化达3个数量级。高低阻态转变电场阈值约为1.8V/μm。另外,CuTCNQ纳米线的电阻随着温度的降低而增大,当温度低于临界值160K时,低阻态的CuTCNQ纳米线将出现负阻效应。     

基于ANSYS的物料提升机的参数化设计及有限元分析

为了解决在传统设计方法下，物料提升机试制样机成本高、设计效率低的弊端，应用CAE软件ANSYS对SSE100型物料提升机进行参数化设计与有限元分析，通过对整机的强度校核和扶墙架的稳定性计算，证明设计方案的可行性，为物料提升机的生产制造提供了理论依据。     

单一有机材料PAN的电双稳特性及其应用

发现单一有机材料１－（２呢啶偶氮）－２－萘酚（ＰＡＮ）在室温下即具有电双真空中的薄膜，两边在数伏电压的作用下，即可从高阻态变为代阻态，且跃迁时间小于１０ｎｓ。由此可用为功能材料用于非易失性存贮器和过电压保护器等。