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一 前言 以CMOS结构为核心的集成电路技术,近二十年来按照摩尔定律发展,即缩小器件的特征尺寸,提高器件的性能,增大集成电路芯片的规模。目前工业硅集成电路的特征尺寸已达到100nm范围。进一步缩小尺寸,面临加工精度的限制,特征尺寸缩小带来的 相似文献
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随着我国的经济不断发展,电网规模逐渐扩大,面临的挑战也逐渐增加。电网末端极容易出现低电压和用户超容用电等问题,低压用户超容用电会严重影响局部电力系统稳定性,容易造成线损增加甚至威胁电网安全。本文提出了一种基于粒子群算法的低压用户超容用电优化研判策略,建立了用户特征优化模型,通过分析海量用户数据中出现的异常情况来准确判断用户是否为低压超容用户,同时针对海量低压超容用户研判的常规流程进行改进,提出了优化研判策略。算例结果表明,本文所述方法能够从海量用户中准确研判低压超容用户,并且较人工审核方式提高了2.86%的判断准确率。 相似文献
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随着现代化技术的逐渐提升,安卓手机的应用越来越普遍化,其中对于安卓手机端的安全检测也得到了社会各界的广泛重视,需要利用k-means算法来进行动态特征的提取子,从而可以根据其特定的算法来对其进行检测,实现其按安卓手机的应用多样性.在本文当中首先对其安卓端的手机安全检测进行了概述;其次在k-means算法的基础上对其特征代码进行了提取分析;最后利用实验的方式进行了验证. 相似文献
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利用导电探针原子力显微镜(CP—AFM)构成金属电极/烷基硫醇饱和分子的自组装单分子膜/金属电极的三层结构,研究了该类分子结的电荷输运。利用该结构测量了该分子结的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明分子结电导随分子长度的增长指数衰减,并且证实隧穿为饱和分子结中的主要电荷传输机制。同时,实验结果表明该分子结存在明显的整流效应,对该饱和分子结的整流特性进行了理论分析。 相似文献
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介绍了两大类纳米尺度加工技术--高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme ultraviolet lithography)、高效率低成本但目前无法套刻且模板制作困难的纳米压印技术(nano-imprint lithography)和线条最精细但低效率的扫描探针技术(scanning probe lithography)等.工艺流程控制形成纳米尺度技术利用一些常规工艺原理如侧墙掩膜和各向异性腐蚀、多孔氧化铝模板等实现局域或自组装纳米结构,能在传统微电子工艺条件下超越光刻技术分辨率限制制备可控的纳米线条或点,但集成度仍受光刻精度限制. 相似文献
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介绍了两大类纳米尺度加工技术高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术。其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme uitravioiet lithography)、高效率低成本但目前无法套刻且模板制作困难的纳米压印技术(nano-imprint lithography)和线条最精细但低效率的扫描探针技术(scanning probe lithography)等,工艺流程控制形成纳米尺度技术利用一些常规工艺原理如侧墙掩膜和各向异性腐蚀、多孔氧化铝模板等实现局域或自组装纳米结构,能在传统微电子工艺条件下超越光刻技术分辨率限制制备可控的纳米线条或点,但集成度仍受光刻精度限制。 相似文献