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1.
2003年9月.通信业务收入保持正常趋势快速增长。前三季度通信业务收入完成38175亿元.比上年同期增长14o%。其中,电信业务收入完成34201亿元.比上年同期增长147%;邮政业务收入完成3974亿元.比上年同期增长83%。通信业务收入增长速度是同期GDP增长速度的165倍。图1为4年来通信业务收入各月净增比较。 相似文献
2.
硅酸钙陶瓷的SPS烧结及其力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸钙和硅酸钠为原料,采用化学共沉淀法合成了适合作为生物材料的硅酸钙粉体,并利用放电等离子体烧结工艺(Spark Plasma Sintering)烧结硅酸钙陶瓷(常温相为β相)。为了探讨合适的烧结工艺参数,分别采用了不同的烧结温度(850~1000℃),不同的保温时间(1~10min)和不同的加载压力(20~50MPa)进行烧结。测了这一系列不同烧结工艺参数下得到的块体的抗弯强度、硬度、断裂韧性等力学性能。结果表明,在950℃可以制得很致密的硅酸钙材料,其力学性能比其它方法得到的材料大为提高。延长保温时间及增加烧结压力,抗弯强度和硬度均在一定范围内增加,而断裂韧性则呈现相反趋势,因此,要根据材料的应用需要来确定最佳工艺参数。 相似文献
3.
TiN粉体粒径大小对SPS烧结过程的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用低温液相还原法,即在液氨中采用金属钠为还原剂,通过还原四氯化钛(TiCl4)成功制备了纳米氮化钛粉体,通过XRD、SEM、TEM分析表明,粉体颗粒尺寸小于20 nm,并且为立方相的纳米氮化钛.以所合成的纳米TiN粉体为初始原料,采用SPS进行快速烧结,同时进行了微米TiN的烧结.结果发现采用SPS烧结技术可以抑制纳米TiN的晶粒快速长大过程,晶粒长大到100 nm~150 nm.但是纳米TiN粉体的烧结温度明显低于微米TiN粉体,并且致密度更高. 相似文献
4.
为提高断路器可靠性和智能化水平,减少操作机构故障率,设计基于EXB 841的10 kV真空断路器永磁机构IGBT驱动电路。在分析智能化电网和高压断路器各部件故障类的基础上,对比弹簧机构反力特性、永磁机构反力特性与真空灭弧室反力特性,分析永磁机构电压平衡方程和运动方程,设计10 kV真空断路器永磁机构IGBT驱动电路,并测试驱动效果。试验结果表明:驱动电路设计合理,能够可靠驱动IGBT导通和关断。 相似文献
5.
采用熔融法制备了P型填充式方钴矿化合物Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),并研究了Co位Fe掺杂对该化合物热电传输特性的影响.在300~850 K的温度范围内,测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率.结果表明,化合物的主要相组成为Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),EPMA结果显示化合物中含有微量FeSb_2和CoSb_2杂质相.化合物的赛贝克系数均为正值,表明为p型半导体.随着Fe掺杂量的增加,化合物的电导率增加,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率仅为1.33 W·m~(-1)K~(-1),对于化合物Yb_0.29Fe_1.2Co_2.8Sb_(12),在800 K时获得最大热电优值ZT约为0.67. 相似文献
6.
Ti3SiC2具有优良的性能,作为复合材料增强相可以进一步提高材料性能.提出制备Ti3SiC2增强复合材料的一种新思路,即利用放电等离子体烧结(Spark Plasma Sintering,简称SPS)原位反应烧结制备Ti3SiC2增强纳米复合材料.利用SPS技术已经成功制备了Ti5Si3/TiC/Ti3SiC2,TiSi2/SiC/Ti3SiC2,SiC/Ti3SiC2等纳米复合材料,并且考察了材料的显微结构和力学性能. 相似文献
7.
8.
采用Ti,Si,C以及少量的Al,应用放电等离子体烧结设备,在1350℃烧结得到不含有TiC的SiC-Ti3SiC2复合材料,其中SiC理论体积含量为50%.材料表面气孔率为2.72%.材料的硬度为10.09 GPa,断裂韧性为5.66MPa·m1/2,硬度低的原因是由于材料不够致密.提高烧结温度到1450℃,XRD结果表明材料中有了TiC的存在,这说明提高烧结温度以后,Ti3SiC2发生了分解.但是材料表面气孔率为0.64%,材料的硬度达到了18.07 GPa,同时,材料的断裂韧性值达到了6.30 MPa·m1/2.实验表明,仅提高烧结温度100℃,使Ti3SiC2部分分解得到TiC,就能够提高材料的硬度和断裂韧性. 相似文献
9.
近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50~100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。 相似文献
10.