电介质中放电图形的计算机模拟

采用有限元法计算了针－平板电极系统的电场分布，考虑放电生长几率与局部电场的随机关系，计算机模拟出放电图形。借此求得分形维数。其结果与Ｂａｒｃｌａｙ的近似符合。证实了当放电几率场的幂指数η变大时，放电图形分枝减少。     

组分对PI/TiO_2纳米复合薄膜电学性能的影响

采用原位聚合法制备聚酰亚胺/二氧化钛(PI/TiO2)纳米复合薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪对复合薄膜进行表征及结构分析,研究无机组分对复合薄膜电学性能的影响.结果表明,TiO2颗粒与PI基体相容性好、分布较均匀.随着无机组分的增加(0~7%),复合薄膜的击穿场强先升高后降低,在1%组分处达到最大值240 kV/mm;复合薄膜的耐电晕寿命持续增加;介电常数先降低后升高,在3%组分处达到最小值3.11,在7%组分处为3.49;电导率与介电损耗随组分变化不大,在102Hz频率下,薄膜电导率均小于6.0×1013S/cm;聚酰亚胺/二氧化钛纳米复合薄膜具有良好的介电性能与热稳定性.     

GIS用环氧树脂的增韧改性研究

制备了一种聚氨酯型热致性液晶聚合物,采用液晶增韧改性环氧树脂,分析液晶的含量对环氧树脂力学性能和耐热性的影响。在环氧树脂中同时添加液晶和Al2O3制备了三元共混体系,并对共混体系的力学性能和电性能进行分析。结果表明:当液晶与环氧的质量比为3∶100时,复合材料的冲击强度相对于纯环氧树脂体系提高了60%,拉伸强度和弯曲强度也分别提高了80%和87%,而且液晶的加入对环氧的耐热性基本没影响。在室温下,三元体系的介电常数是二元体系介电常数的1.5倍。     

用于现场老化交联聚乙烯电力电缆的降解评估参数

The cables are more likely to deteriorate after several years of service in Shanghai,a city with a humid climate and abundant rainfall.Before assessing the aging status of those cables,it is critical to present effective test parameters which are sensitive to the aging process under special field conditions.Therefore,we have performed water tree investigation,tensile test,and differential scanning calorimetry(DSC)test on hundreds of cable samples removed from service.A large number of typical bowtie water trees were found in cable insulation and the water tree content was proposed to characterize the degree of water treeing.Based on Arrhenius Equation and equivalent thermal history parameters estimated from DSC profiles,we also proposed a new parameter ln(t/τθ)to characterize the aging status of cable insulation,Where,t is treated duration andτθis the thermal life under treated temperature.The applicabilities of water tree content,tensile strength,and ln(t/τθ)are tested using the analysis of variance(ANOVA).Then we investigated the relationship between the tensile strength and the water tree content using regression analysis,and analyzed the relationship between ln(t/τθ)and the tensile strength.The results indicated that each of these parameters performs differently with cables which experienced different degrees of age related degradation,and can be used to identify the aging status of field aged cables.The tensile strength can reflect the water treeing condition of field aged cables very well as a commonly used functional parameter.Since ln(t/τθ)is strongly related to the tensile strength,it is an effective parameter to characterize the aging status of field aged cable insulation.Using this newly proposed parameter is more time saving because of the convenience in sampling.     

纳米杂化PI薄膜击穿孔区形貌及元素分布

无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型.     

纳米高聚物复合材料的结构特性、应用和发展趋势及其思考

综述了纳米粒子及纳米结构材料的基本物理效应;微纳米高聚物复合物的微结构,界面(相)的作用及性能;影响宏观性质及测试技术的一些典型的物理尺度与几何尺度,测量时间尺度与响应的时间尺度;微纳米高聚物复合物的介电松弛理论、结构和性能的简单对比、复合物介电理论的问题以及击穿与树枝行为;微纳米高聚物复合材料的研究现状及发展趋势;以及如何去发现纳米高聚物复合物中的量子(波)效应等.     

Preparation and characterization of polyimide/silica hybrid films

Polyimide (PI) thatserves as a typical kind of en-gineering polymer material has been used widely in aer-ial, nuclear and microelectronic industries because ofits outstanding characteristics, such as excellent ther-mal stability, relatively high tensile strength and modu-lus and, especially, preeminentelectrical properties in-cluding low dielectric constant[1]. But the pure poly-imide also has many disadvantages, such as high wetta-bility, thermal expansivity and poor corona-resistance.Moreove…     

TSC/TSL联合谱在绝缘聚合物电老化研究中的应用

该文测量了纯聚乙烯和含自由基清除剂的聚乙烯试样老化过程中的TSC/TSL联合谱。通过测得的谱图查明了聚乙烯在电老化过程中陷阱和发光中心的密度变化，并分析了老化过程中聚乙烯分子链的运动形式的变化。根据视在陷阱总量和发光中心总量的计算，表明在电老化过程中陷阱的密度变化比复合光中心的更明显。这种自由基清除剂主要是通过抑制老化过程中陷阱的产生，尤其是深陷的产生，实现抑制电老化的功效。这对今后研究提高聚乙烯耐电老化的途径有明显的指导意义。     

室温铁磁性蒲公英状氧化锌的制备及生长机理研究

以锌粉、醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热法制备出了具有结构性缺陷的蒲公英状ZnO。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪和超导量子干涉仪对产物的结构形貌和光学性能及磁学性能进行了表征,并对其生长机理进行了探讨。研究表明,蒲公英状氧化锌为六方纤锌矿结构,由许多顶端为锥尖形的棒自组装而成;其荧光本征发射峰在388nm处,属于激子跃迁发射。在波长450～492nm处所观察到的3个弱蓝光峰是由锌填隙原子中的电子到价带顶的跃迁所致;在波长492～580nm范围内出现的较为宽泛的绿光发射峰根源于电子从导带底到氧错位缺陷能级间的跃迁。蒲公英状ZnO中存在的结构性缺陷使得原本呈现抗磁性的ZnO具有了室温铁磁性,从而可作为一种稀磁半导体应用到自旋电子学领域中。     

聚酰亚胺薄膜制备与浅陷阱能级分布研究

采用两步法制备了均苯型纯聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜,并对该薄膜、3M和杜邦公司生产的纯PI薄膜进行热激电流测试。结果表明:3M纯PI的γ峰对应峰温和陷阱能级相对较高,这可能是其较高的聚合度,导致分子链的运动困难造成的,自制纯PI过程中适当提高聚酰胺酸粘度,有利于提高聚合度进而改善其性能;3M和杜邦纯PI薄膜β峰对应峰温比自制PI的峰温高35 K,这也是3M和杜邦纯PI的聚合度高,导致侧基运动困难造成的。β峰与偶极取向松弛有关,非晶PI的β峰峰温大约为345 K,比玻璃化转变温度略小,此温度下大分子链迁移困难,只有如羰基等极性基团的迁移。另外,只有杜邦纯PI有αC峰,这与薄膜内的晶区或界面效应有关。