GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征

采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响.获得了与GaSb衬底晶格失配度为0.4%的表面光亮且晶体质量较好的InAs0.85Sb0.15外延层.     

GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征

采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响.获得了与GaSb衬底晶格失配度为0.4%的表面光亮且晶体质量较好的InAs0.85Sb0.15外延层.     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．     

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．     

MOCVD法异质外延GaP／Si薄膜的研究

微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。     

MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究

微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件.我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性.     

MOCVD过程中回流现象的数值模拟

在金属有机物化学汽相淀积过程中，反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性．本文从关于ＭＯＣＶＤ的流体力学基本方程出发，用二维有限差分和流函数涡量法求解方程，取得了不同条件下气流场的流谱．计算结果表明，减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流．本文所用的流函数－涡量法具有简单、明了，运算速度快等优点．     

MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究

应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10~(19)cm~(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了阴极激活实验,制成了透射式 GaAs 光电阴极。