性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜

作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料,ＡｌＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡｌＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展     

脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜

ｃ轴取的ＡｌＮ具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺,在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射拇衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在３００℃－８００℃衬底温度下,薄膜均只有（００２）－一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;     

SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术

近来,ＩＢＭ公司利用绝缘层上的硅（ＳＯＩ）技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片,该芯片不仅工作速度显提高,功耗也大幅度下降,充分显现了ＳＯＩ技术的优越性。这也预示着ＳＯＩ技术将逐步走向商业应用。ＳＯＩ技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本介绍了市场绎低压、降低耗电路的需求,分析了ＳＯＩ技术实现低压、低耗电路的工作原理,综述了当前ＳＯＩ低压,低功耗电路的新动向。     

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究

用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化合处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜，用Ｘ射线衍射，傅立叶变换红外光谱和Ｘ射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１０００℃分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。     

薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。     

MPEG2传输流复用原理与FPGA设计实现

在介绍了MPEG2传输流语法结构的基础上，提出以单FPGA实现MPEG2传输流复用器设计与实现方案，最后给出了仿真结果。     

氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响

ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ,剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明,ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ）,而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ,剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明,ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ）,而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。     

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

报道用脉冲ArF激光烧蚀SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)衬底上淀积SiC薄膜,再经920℃真空(10-3Pa)退火处理,制备出晶态α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等.结果表明,在920℃较低温度下,SiC薄膜经非晶核化--长大过程,生成了晶态α-SiC(0001)∥Si(111)高度定向外延膜,薄膜内C/Si比约为1.01.表面有污染C及少量氧化态Si和C.室温下用280nm光激发薄膜,在341nm处有较强发光峰,半峰宽45nm,显示出较好的短波发光性质.