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用a-Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸的电性能薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的切初结构依赖于沉积条件,用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几面nm,最大晶粒尺寸为2μm,电导率为1.62(Ω.cm)^-1的优质多晶硅薄膜。 相似文献
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以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1. 相似文献
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