基于小型加速器中子源的快中子层析实验研究

利用快中子穿透能力强的特点实现层析成像,对于大尺寸的无损检测具有重要意义。但快中子探测效率低,非期望信号引起图像噪声大,原始投影图像信噪比相对较低,实现快中子层析成像难度较大。本文利用中国工程物理研究院核物理与化学研究所研制的小型中子成像检测仪,获取了轻重材料混杂件不同角度下的快中子成像投影图像,通过对投影图像进行预处理提高图像信噪比,并采用迭代重建算法对投影图像进行重建,成功获取了模拟样件的三维结构分布,具备了内部轻材料孔洞缺陷的检出能力,表明采用小型加速器中子源可以实现快中子计算机断层扫描(Computed Tomography,CT)成像。     

基于深度网络迁移学习的致痫区脑电识别* .txt

摘要：致痫区脑电识别能够为癫痫外科手术提供重要的参考价值。提出了一种基于深度网络迁移学习的致痫区脑电识别算法。首先利用连续小波变换（CWT）对脑电信号进行时频分析，获得脑电信号时频图；然后迁移学习AlexNet网络模型，调整网络结构使之适应于致痫区脑电识别，将模型第7层全连接层输出作为脑电信号时频图的特征表示，最后利用支持向量机（SVM）、BP神经网络、长短期记忆网络（LSTM）、基于稀疏表达分类算法（SRC）、线性判别分析（LDA）等分类算法进行特征分类。基于开源脑电数据集采用十折交叉验证的方法对算法进行了验证,比较6种分类器的效果，得到SVM算法的平均特异性为8881%，灵敏度为8807%，准确率为8844%，证明了该方法识别致痫区脑电信号的有效性。 .txt     

聚多巴胺涂层聚丙烯疝气补片的制备及其体外炎性反应

为降低聚丙烯(PP)补片的炎性反应,利用多巴胺氧化自聚合,在PP单丝表面制备了聚多巴胺(PDA)抑炎涂层,并对PDA-PP补片的微观形貌、表面成分、接触角、涂层稳定性、力学性能、体外抗氧化和体外抗炎性能进行了表征与分析。结果表明:PDA可在PP单丝表面形成分布均匀的微纳米颗粒涂层,进而使得PP表面的理化性能呈现出相应的变化;PDA不影响PP补片的力学性能,且抗氧化能力和形貌稳定性均可满足炎性反应初期调控的需求;通过炎性应答标志TNF-α和IL-6的24 h释放量可知,黏附于PDA-PP的巨噬细胞较PP补片分别降低了93%和100%的释放,初步证实PDA涂层可有效降低PP补片的体外炎性反应,进而有望应用于临床评估研究。     

霉菌毒素检测与脱毒技术研究进展

霉菌毒素是某些霉菌在谷物或饲料上生长繁殖过程中产生的有毒代谢物,威胁动物乃至人类的健康。有关毒素的脱毒技术一直是国内外的一个研究热点,其中生物法脱毒是现在最有前景的一种脱毒方法,主要通过微生物的吸附和降解作用来达到脱毒的效果。本文结合最新的研究成果,详细介绍了霉菌毒素的毒性、污染现状及主要的检测方法,并对霉菌毒素物理、化学、生物脱毒技术进行了概述,并对未来的研究方向加以展望。     

深井开采面临的关键问题及技术对策

深部开采问题是当今采矿领域面对的重要研究型课题。淮南矿区为全国深部井田的一个缩影,结合其深井开采的现状,系统分析了深井开采过程中面临的高地应力、高地压、高地温、高瓦斯及高水害等关键问题,相应地提出了解决此类问题的技术方案与相关对策,为深井工作面的安全高效可持续开采提供重要保证。     

山西焦化持续推进安全生产标准化动态达标

2014年,山西焦化将以“自我约束、持续改进”为主线,以过程控制为手段,以动态达标为目的,坚持不懈地开展“岗位达标”和“专业达标”安全生产标准化动态达标竞赛活动,严格对照标准化12个A级要素和60个B级要素开展“回头看”。严格按照风险评价的九个范围,选择科学、有效、可行的风险评价方法,进行危险、有害因素识别和风险评价,持续推进安全生产标准化动态达标。     

石膏山佛寺建筑维修保护及复原规划设计

在对石膏山的自然和文物资源进行认真研究的基础上 ,提出石膏山佛寺建筑维修及复原规划设计的原则 ,并在此原则上进一步提出了保护及复原规划设计的方案。     

永磁游标直线电机磁场解析计算

永磁游标直线电机(linear permanent magnet vernier motor,LPMVM)依靠磁场调制原理工作,其电枢开槽引起气隙磁导变化,为考虑齿槽效应的影响,将其气隙磁场等效为无槽气隙磁场与有槽时气隙相对磁导函数共同作用结果。用气隙磁导波法分析其基本工作机理,给出结构关系式。用分层模型法建立无槽LPMVM求解场域矢量磁位解析模型,推导出各区域磁场解析表达式。结合气隙相对磁导函数建立考虑齿槽效应时的LPMVM磁场解析模型,计算出考虑齿槽效应时气隙磁密分布曲线。解析解与有限元解结果表明:无槽时气隙磁密在切向分量和法向分量计算准确,考虑齿槽效应后基于气隙相对磁导函数的磁场解析模型适用于求解气隙磁密法向分量,且主要谐波磁场与永磁体极对数和电枢绕组极对数有关。     

光子晶体光纤环偏振耦合强度温度特性实验研究

以光子晶体光纤环为研究对象,利用白光干涉仪测试了不同温度下保偏光子晶体光纤环和普通保偏光纤环内部的偏振交叉耦合强度分布,分析了光纤环中固定耦合点不同温度下的偏振耦合强度变化。结果表明,在-40℃~50℃的温度条件下,保偏光子晶体光纤环偏振耦合强度最大变化率为0.97%;普通保偏光纤环偏振耦合强度的变化率为4.71%,约为保偏光子晶体光纤环的5倍。实验研究证明,光子晶体光纤环的偏振交叉耦合强度温度稳定性高于普通保偏光纤环的偏振交叉耦合强度的温度稳定性。     

有机-无机杂化体异质结太阳电池研究现状

有机-无机杂化体异质结太阳电池以无机半导体纳米晶作为电子受体,共轭聚合物作为电子给体,是近年来的一个研究热点。在设计上,有机-无机杂化材料兼具有机材料的柔性、结构多样性、易加工和无机材料载流子迁移率高、稳定性好的优势,具有良好的发展前景。介绍了有机-无机杂化体异质结太阳电池的结构、工作原理,从共轭聚合物、无机半导体纳米材料以及电池制备工艺3个方面综述了近年来国内外研究现状,主要包括有机-无机杂化体异质结太阳电池中常用共轭聚合物结构、带隙,无机纳米晶种类、形貌、表面改性以及有源层厚度、形貌调控等内容。着重介绍了基于CdSe、TiO2、PbS类纳米晶的太阳电池。最后讨论了有机-无机杂化体异质结太阳电池目前存在的问题和发展方向。