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1.
研究了黑钨矿与碳酸钙煅烧合成白钨的反应过程和机理。实验结果表明:在550℃下煅烧黑钨矿时开始出现白钨相;在800℃下黑钨矿与碳酸钙能完全合成为白钨,主要产物为CaWO4、Fe2O3、Mn2O3。在有空气存在的条件下合成白钨的反应分两步进行:第一步生成CaWO4、FeO、MnO,第二步FeO、MnO氧化生成Fe2O3、Mn2O3。 相似文献
2.
在探明球形APT结晶原理的基础上,研究了结晶温度、搅拌转速、料液补加方式及补加速度等因素对仲钨酸铵晶体球化的影响. 相似文献
3.
研究了钨冶炼中钨酸钠溶液、钨酸铵溶液、解吸剂溶液三种溶液体系的非均匀化规律。结果表明,WO24-较Cl-的非均匀化程度大,且溶液体系的非均匀化速率均呈现先上升后下降的趋势,摩尔质量较小的OH-非均匀化现象并不明显。分析指出,WO24-、Cl-和OH-的摩尔质量/离子半径比越大,其溶液的非均匀化程度也越大;粘度大的溶液非均匀化速率较慢。 相似文献
4.
研究了冷凝和蒸发面积比值、结晶温度及搅拌速度对仲钨酸铵结晶氨尾气冷凝氨水浓度的影响.结果表明:降低结晶温度及增加搅拌速度,均能够不同程度地提高结晶氨尾气回收液中氨的浓度;冷凝和蒸发面积比为3.9、结晶温度为110℃时,回收的氨水总浓度为9.9 mol/L. 相似文献
5.
6.
7.
8.
<正> 可擦除、可编程只读存贮器(EPROM)是一种半导体存贮器件,它具有集成度高、价格低廉、便于编程及能多次使用等优点。在顺序控制器中,采用这种器件取代传统的步进式和时序式顺序控制器中的矩阵板来进行工艺信息的记忆存贮,无疑对顺序控制器的结构和性能均有明显的改进。 相似文献
9.
钨吸附过程阴离子分布规律及局部淋洗研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用分部位解吸的方法研究了钨吸附过程终了WO_4~(2-)、MoO_4~(2-)及砷阴离子在交换柱上的分布规律,通过解吸曲线和交换柱分布曲线叠合比较,定性地确定了解吸反应速度Uwo_4~(2-)相似文献
10.
仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了掺入NH4Cl下仲钨酸铵(APT)的晶形变化,探讨了生长机理与晶体生长速率(LN)的关系,计算LN值时采用了将最终产品粒度组成与生长质量速率结合的方法,结果表明:NH3.H2O-H2O系APT按二维成核或位错机理生长,晶体表面光滑,层状结构明显,部分小晶体具有螺卷状结构,NH4Cl-NH3.H2O-H2O系APT生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制,大颗普晶体表面粗糙多孔,晶面界 相似文献