硼氢化钠-氢还原重量法测定难溶解钌-硼焊料中的钌

建立了硼氢化钠-氢还原重量法测定难溶解钌-硼焊料中高量钌的方法,研究了测定钌的条件,比较了试样的玻璃封管酸溶解法与碱熔融法和钌的硼氢化钠-氢还原重量法与蒸馏-硫脲显色分光光度法.结果表明:玻璃封管酸溶解法较碱熔融法费时且操作繁琐,但钌的测定体系单纯;硼氢化钠-氢还原重量法较蒸馏-硫脲显色分光光法费时,但因钌的测定浓度较高,故相对误差较小.测定50～100 mg钌,相对误差-0.24%～+0.25%.方法准确度高,选择性好,实用性强,已用于钌-硼焊料中质量分数＞90%钌的测定,结果满意.     

Ag-Cu-In-Sn合金的结构特性

借助金相、X光衍射及SEM方法研究Ag-Cu-In-Sn合金的结构特性及合金各组元在合金相中的分布规律,还讨论了某些相结构对合金力学性能的影响。四元合金的化学成分是(wt％)57～63Ag,17～23Cu,(20—x)In,xSn,其中:Ag+Cu=80wt％,In+Sn=20wt％,2≤x≤16。     

铜基钎料粉末的制备和性能研究

采用熔体气雾化法、真空机械破碎法制备BCu35NiMnCoFeSi（B、P）铜基八元合金粉末钎料。研究了真空机械破碎法制粉时间对出粉率、氧含量、铁含量及粉末形状的影响,考查了粉末钎料的填隙性、钎焊接头力学性能。通过对粉末成分、氧和杂质分析认为：真空机械破碎法能获得含氧量较低的粉末钎料。     

电子器件用的中温钎料的进展

概述了用于电子器件中的中温钎料(450～600℃)的特点及应用条件,回顾中温钎料近40年来的发展,指出非晶态中温钎料在电子器件中的应用的可能性。     

Ag—Cu—Si三元合金体系液相线

采用ＤＴＡ法测定了富Ａｇ－Ｃｕ区的Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｉ三元合金系的液相面。Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｉ三元系被Ａｇ－Ｃｕ０．７６Ｓｉ０．２４截面分为Ａｇ－Ｃｕ－Ｃｕ０．７６Ｓｉ０．２４及Ａｇ－Ｃｕ０．７６Ｓｉ０．２４－Ｓｉ两个伪三元系,它们各有一个三元低共熔点分别为７４０和７０５℃,相应组成（原子分数）分别为１２．５％Ａｇ＋７１．７％Ｃｕ＋１５．８％Ｓｉ和３０％Ａｇ＋４４．７％Ｃｕ＋２５．３％Ｓｉ。     

钴对Ag—Cu—Pd合金钎料性能的影响

研究结果表明,在Ａｇ－Ｃｕ－Ｐｄ合金钎料中添加０．２－１．０ｗｔ％Ｃｏ后,对钎料的物理性能,电学性能以及力学性能无明显影响,但对ＢＡｇ６５ＣｕＰｄ钎料在某些母材上过度的铺展性确有显著地抑制作用,Ａｇ６５Ｃｕ２０Ｐｄ１５－ｘＣｏｘ钎料可以部分地取代电子器件中的金基纤料。     

银合金及银复合材料的技术发展

介绍了国内外银合金及银复合材料的生产和技术现状,主要问题和发展趋势。     

新型中温金基钎料研究

研究了一种微电子器件高温封装用Au-In共晶型中温金基钎料合金,钎料由77%~75%Au和23%~25%In(质量分数)构成,规格为0.03~0.10?,钎料箔带材是采用多层叠加轧制方法制造的。实验结果表明,在保护气氛下,500~520℃无钎剂钎焊,钎料对镀金可伐合金和无氧铜、纯镍、纯银等多种母材具有优良的漫流性和间隙填充性,钎焊接头牢固、钎料箔带材塑性高,应用工艺性能良好。     

Ag-Cu-Si合金系的两个变温截面

采用Ｘ－射线衍、金相和ＤＴＡ方法分析Ｓｉ含量为０￣１０ｗｔ％的Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｉ三元系２个变温截面。结果表明：在研究的Ｓｉ含量范围内,相组成较复杂,但仅有二相区和三相区,未发现三元中间相。２个伪二元合金系在５５６℃和４７１℃存在固相转变,且Ｃｕ３Ｓｉ相的η、η′、η″相同属正交晶系,其相变属于“位移型”相变,空间群有待进一步研究。     

金首饰用无镉K金钎料的研究与发展

概述了金属镉在金首饰合金钎料中的作用和无镉K金钎料的合金化原理,给出了近年开发的9K~22K颜色和白色无镉K金合金钎料的成分和熔化温度范围,指出:在K金首饰应用领域,开发适合分级钎焊的高性能无镉K金钎料系列以及无镉K金钎料的标准化和商业化,依然是无镉K金钎料的发展方向。