水暖安装过程中的问题分析和相应防治措施

水暖工程是运用在工业建筑和民用建筑中的重要施工程序,无论是基础的施工还是在结构阶段的施工,甚至是装修过程中的施工,都少不了对水暖的预埋固定以及水暖管道的安装。由于水暖工程将与使用者发生直接的联系,因此,它是影响人们评价建筑优劣的重要依据。本文详细介绍了水暖工程在安装时常出现的问题,并提出一定的防治措施。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果进行了简要介绍,对纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理、主要的掺杂技术、方法进行了综述,并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

微波碳化法制备纳米WC粉末及其机理

传统制备WC粉末的方法都是依靠发热体的辐射、能量对流、传导等方式加热W、C混合粉末到一定温度,热量由外向内传递,具有加热温度高、周期长、WC颗粒长大明显等缺点。本研究以纳米钨粉和活性炭为原料,采用微波加热法在1 000℃快速制备纳米WC粉末。用XRD分析不同碳化温度产物的物相组成,并用SEM和TEM对产物进行形貌和粒度分析。结果表明:平均粒径50 nm的钨粉经微波碳化法在1 000℃保温10 min,能够制备出平均粒径为86.5 nm的单相WC粉末,纳米WC颗粒表面光滑,形貌呈近球形。分析微波碳化法制备纳米WC粉末的机理表明,微波碳化过程为扩散控制,WC颗粒的长大速率随碳化温度的升高而加快。     

锻造TiAl基合金的晶粒长大及其动力学分析

研究了锻造TiAl基合金在1180到1320℃热处理时的晶粒长大过程,并分析了在等温热处理时晶粒长大的动力学在α相转变温度Tα以上等温热处理时,晶粒迅速长大,晶粒长大因子为2.4;在Tα以下等温热处理时,当热处理时间由10 min延长至4 h时,α晶粒不断长大,γ体积分数ψγ逐渐变化至平衡值,而γ晶粒尺寸Dγ增长较小继续延长热处理时间,显微组织没有明显的变化,α晶粒尺寸的极限值Dα0约为0.65Dγ/ψγ.提高热处理温度时,α晶粒长大速度加快,在1180,1220,1260和1300℃热处理时,α晶粒长大因子分别为2.9,2.8,2.65和2.5.     

ZnS光电材料制备技术的研究进展

ZnS作为一种性能优良的光学，电学和光电一体化材料，具有极大的应用价值，综合概述了ZnS粉末，块状材料和薄膜等各种材料的制备方法，阐述并讨论了水热合成法，均匀沉淀法，溶胶－凝胶法，化学气相沉积法，溅射法等不同方法的特点，并着重论述了ZnS粉末和薄膜，特别是在纳米粉末和纳米晶薄膜制备技术方面的研究进展。     

TiAl基合金板材制备技术的发展现状

综述了TiAl基合金板材制备技术的发展现状。介绍了的制备TiAl基合金板材三种技术的工艺过程及制得的TiAl基合金板材的显微组织和力学性能。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍，综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理，主要的掺杂技术、方法，并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

Ti-Al基合金中的Hall-Petch关系及影响因素分析

研究了全层片状组织Ti-Al基合金的室温拉伸性能与品团尺寸的关系。Ti-Al基合金的室温拉伸屈服强度和断裂强度与晶团尺寸成Hall-Petch关系。当合金中添加替代元素Cr和Nb时，其Hall-Petch斜率不变；而添加间隙元素C和B时，其Hall-Petch斜率增加。Ti-Al基合金的室温延伸率与晶团尺寸不满足Hall-Petch关系。     

全层状TiAl合金层片生长及其影响因素

利用光学显微镜(OM)和TEM，研究了全层状TiAl合金的层片间距的影响因素及与各因素的关系。实验结果表明，全层状TiAl合金的层片间距与冷却速度和合金中铝含量有关，层片间距与冷却速度呈反比关系，并随着合金中铝含量的增加而增加。同时，以层片生长的台阶机制为基础，推导出了全层状TiAl合金在连续冷却过程中层片间距的数学表达式，推导结果与实验结果相符。