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1.
以SiC晶须作为增强体,通过酚醛树脂高温碳化裂解获得碳包覆的SiC晶须,与纳米碳化硅粉体、炭黑混合均匀形成复合陶瓷乙醇浆料.经过干燥、造粒、成型和排胶后获得SiCw-C-SiC素坯,利用反应熔渗法制备高体积分数的SiC晶须增强SiC陶瓷基复合材料.研究了碳黑含量对复合材料力学性能与显微结构的影响.通过扫描电镜照片显示,碳包覆的SiC晶须经高温反应熔渗后仍保持表面的竹节状形貌,且晶须与碳化硅基体间形成适中的界面结合强度,材料断口处有明显的晶须拔出;当炭黑含量为15wt%时,抗弯强度和断裂韧性达到最高值分别为315 MPa和4.85 MPa·m1/2,比未加晶须的SiC陶瓷抗弯强度提高了25%,断裂韧性提高了15%;当炭黑含量为20wt%时,复合材料中残留部分未反应的炭黑,制约其力学性能的提高.  相似文献   
2.
B4C基复合材料有一定韧性且硬度能与B4C匹配,依靠该复合材料约束B4C板,降低B4C板韧性低的不利影响,可充分发挥B4C板硬度高的优势。为获得硬度高、密度低且抗连续打击的陶瓷基复合靶板,设计了由B4C板与B4C基复合材料构成的靶板。靶板中复合材料自身是三维微观结构复合,与B4C板间的结合则是二维宏观复合。通过理论分析和试验确定靶板的制备方法和工艺。靶试显示Ф82mm×15mm靶板可抗2发7.62mm穿甲燃烧弹,防护面密度为38kg/m2。  相似文献   
3.
本文研究了初压压力、初烧温度对复压密度和复烧密度的影响。  相似文献   
4.
1 INTRODUCTIONTheHDsinteringmodelwasintroducedinRef.[1 ],anditconsideredthattherealwaysexistshrink ingandexpandingmechanismsduringsinteringpro cess,althoughmostPMmaterialwillshrinkonlyphenomenallywhensintered ,thatistosay ,itisdif ficulttoemergetheexpanding…  相似文献   
5.
钨铜复合材料的制造工艺   总被引:30,自引:6,他引:24  
本文综述了钨铜系复合材料的各种生产工艺,详细分析各种工艺的特点。  相似文献   
6.
以SiC超细粉末为原料,Al粉、B粉和碳黑为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备了SiC陶瓷,重点研究了烧结助剂含量(4~13 wt%)对SiC陶瓷物相组成、致密度、断面结构及力学性能的影响.除SiC主晶相外,X射线衍射图还显示了Al8B4C7相的存在;当烧结助剂的含量从4 wt%增至13 wt%时,扫描电镜照片显示陶瓷断面形貌从疏松结构变成致密结构,存在晶粒拔出现象;陶瓷力学性能随着烧结助剂含量的增加先升高后降低.当烧结助剂含量为10 wt%时,SiC陶瓷的力学性能达到最高,抗弯强度为518.1 MPa,断裂韧性为4.98 MPa·m1/2.Al、B和C烧结助剂在1850℃烧结温度下形成的Al8B4C7液相促进晶粒间的重排和传质,并填充晶粒间的气孔,提高了陶瓷致密度.  相似文献   
7.
孔隙在粉末冶金铁基材料磨损中的作用   总被引:7,自引:1,他引:6  
采用销盘型磨损试验研究了Fe-3Cr-2Ni-2Cu-0.8C-3WC烧结刚度密度对其磨损率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)的磨损表面形貌观察,分析了讨论了孔隙在室温500℃条件下磨损过程中的作用,结果表明,密度对室温磨损观察较大,密度提高则磨损减小,密度对高温磨损率影响不大,磨损以混合机制发生。  相似文献   
8.
论述了当前国内粉末冶金行业建设专业网站的重要性及必要性,介绍了建设“粉冶星空”这个专业性网站的初步尝试。  相似文献   
9.
Bi对Ag-Sn合金粉末内氧化机制的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用内氧化增重法对不同铋含量Ag-Sn-Bi合金粉末在不同温度恒温内氧化的分析结果表明,合金粉末内氧化增重量的平方与内氧化时间成正比,氧在合金中的扩散过程是内氧化的控制过程;随Bi含量增加,内氧化速度显著增大。采用电子探针和X射线衍射分析探讨了铋改变氧在Ag-Sn合金中的扩散机制的原因。  相似文献   
10.
以单晶SiC纳米线作为增强体,碳化硅-碳为陶瓷基体,在1550℃下,采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf/SiC).结合X射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析,研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响.研究表明:与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比,添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高,抗弯强度提高了52%,达到320 MPa(SiC纳米线含量为12wt%),断裂韧性提高了40.6%,达到4.5 MPa· m1/2(SiC纳米线含量为15wt%);反应后的SiC纳米线仍然可以保持原有的竹节状结构,且随着SiC纳米线的加入,复合陶瓷的断口可以观察到SiC纳米线拔出现象.但由于SiC纳米线“架桥”的现象,添加过量的纳米线会降低复合陶瓷的密度和限制复合陶瓷力学性能的提高.同时还讨论了SiCnf/SiC的增强机理.  相似文献   
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