半固态非枝晶组织流变性和触变性的研究进展

研究了半固态非枝晶组织的两个基本特性：流变性和触变性,分析了影响流变性和触变性大小的各个因素,总结了因内外学者针对流变性和触变性建立的几种有代表性的模型。对理解半固态加工技术的两个基础理论有一定的帮助。     

半固态非枝晶组织合金的制备技术

较详细地论述了国内外各种半固态非枝晶组织合金的制备技术，探索了各种技术的机理，评价了各种技术的优缺点，并介绍了作者现在的研究工作。     

异向生长晶粒增韧氧化铝陶瓷的研究进展

综述了Al2O3异向生长晶粒微观结构的特征，详细论述了不同添加剂、不同晶种及引入方式对Al2O3晶粒异向生长、显微结构及其力学性能的影响，分析了不同条件下Al2O3晶粒的异向生长机理，阐述了异向生长晶粒增韧Al2O3陶瓷的机制．     

晶种对氢氧化铝转相和热压烧结氧化铝晶形变化的影响

以氢氧化铝为初始原料,通过球磨过程中高纯氧化铝磨介的磨屑作为晶种引入氢氧化铝中.引入的α-Al2O3品种使氢氧化铝于1100℃×2h的条件下转变为α相氧化铝.而且随着α-Al2O3品种引入量的增加,煅烧后氧化铝颗粒的平均粒径减小,颗粒尺寸分布均匀.煅烧得到的氧化铝超细粉经热压烧结后,Al2O3晶粒形貌随品种的引入量的不同而发生变化.未引入α-Al2O3品种的条件下,晶粒形状主要为等轴状;晶种引入后,晶粒发育成六角片状;而且随着晶种引入量进一步增加时,六角片状晶粒尺寸减小,当晶种数量增加到20wt％以上时,晶粒发育生长为长柱状.     

有机前驱体热解合成Si3N4纳米带及其生长机制的研究

通过催化剂辅助有机前驱体热解，合成了单晶Si3N4纳米带。其工艺主要包括3个步骤：有机前驱体低温交联固化、高能球磨粉碎和高温热解。采用SEM、XRD、EDS、TEM和HRTEM等分析手段对Si3N4纳米带进行了详细的表征，对Si3N4纳米带的生长机制进行了深入的探讨。     

石墨烯外延生长及其器件应用研究进展

石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展,并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展.外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备,同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控,有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术,为其器件应用奠定基础.     

Cu掺杂ZnSe高效量子点的合成及其光学特性研究

采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高;采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变。这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记。     

单晶6H-SiC纳米线的可控掺杂及光学特性

采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC).用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%, HRTEM显示晶格间距为0.26 nm和0.25 nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1∶1.拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100 meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大.