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1.
以钛酸丁酯、硝酸锌、乙醇和乙酸为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了纯净六方ZnTiO3粉体.利用TG-DTA、XRD和FE-SEM等检测手段对前驱体凝胶的热分解、相变以及粉体结构和形貌进行研究.结果表明:ZnTiO3凝胶前驱体热分解分3个阶段,第1阶段在262 ℃以下主要为有机物的分解过程;第2阶段为262~700 ℃,此时的粉体为非晶态立方相ZnTiO3;六方ZnTiO3相的生成发生在第3阶段700~900 ℃.获得纯净六方ZnTiO3相的较为合适的工艺条件为:前驱体在60 ℃进行溶胶,然后在700~900 ℃煅烧2 h.   相似文献   
2.
随着NOx排放要求的提高,选择性催化还原(SCR)脱硝技术引起广泛关注,废SCR催化剂量也因此快速增长。废SCR催化剂中含有钛、钨、钒等大量有价金属,若将其直接丢弃,不仅会引发环境污染,还会造成资源浪费等问题,故资源化回收废SCR催化剂意义重大。系统地阐述了钒钛基废SCR催化剂中钒、钨、钛的回收和分离方法,分析了钒钛基废SCR催化剂回收工艺的优缺点,展望了有价金属回收技术的未来发展方向。本研究可为废SCR催化剂的回收提供参考。  相似文献   
3.
微等离子体氧化技术是一种直接在有色金属表面原位生长陶瓷膜的新技术。用此技术制备的陶瓷膜具有优良的耐腐蚀、耐高温冲击、耐磨和电绝缘等特性。在此文中,介绍了微等离子体氧化技术的发展历史、陶瓷膜的特性及制备原理与工艺,指出微等离子体氧化技术是制备陶瓷膜的一种新工艺,并予以前景展望。  相似文献   
4.
利用循环伏安法、计时电势法和计时电流等方法,研究了钨在700°C的NaCl-KCl-NaF-Na2WO4熔盐中的电化学反应机理和电结晶过程。结果表明,钨的电化学反应过程为由离子扩散速率和电子迁移速率混合控制的准可逆过程,钨的电结晶过程为瞬时形核、三维半球型形核过程,XNaCl:XKCl:XNaF: XNa2WO4= 2:2:1:0.01的实验条件下钨离子的扩散速率为2.543×10-5 cm·s-1  相似文献   
5.
钛酸锂是一种尖晶石结构的锂离子电池负极材料,相对于碳基材料具有更好的充放电性能、循环稳定性和使用安全性能,成为研究新型锂电子电池负极材料的热点。然而,钛酸锂本身存在电导率较低,极化现象严重和理论容量小等缺点,限制了其广泛应用。介绍了钛酸锂的合成技术、原理,改进方法及研究现状。分析了不同制备工艺的优缺点及其对材料性能的影响。指出元素掺杂、表面包覆、形貌设计和复合改性等方式可有效改善Li4Ti5O12材料的导电性能,提高材料的电化学性能。提出了目前存在的问题及未来的研究方向。  相似文献   
6.
由于铁酸锌在磁性、光催化、储能等领域都具有极高价值,铁酸锌的研究受到广泛关注。对铁酸锌的制备工艺进行了总结,并分析了共沉淀法、水热法、溶剂热法、溶胶-凝胶法、机械化学合成法、超声波微波联合法、微乳液法、喷雾热解法等制备方法的原理、发展现状、优势及不足。  相似文献   
7.
在FLINAK-Na2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极、硅钢片为工作电极、石墨为辅助电极,在750℃的温度下,用循环伏安法和计时安培法对硅的电结晶过程进行研究。结果表明,该熔盐体系中硅的电沉积经历了晶核形成过程,并需要一定的过电位,其电结晶按连续成核和三维生长方式进行,晶体生长速度常数k’的对数值与阶跃电位基本呈线性关系,并随阶跃电位的负移而增大,外加电位对Si晶体生长具有显著的影响。  相似文献   
8.
熔盐法合成PbTiO3粉体及其表征   总被引:3,自引:0,他引:3  
以TiO2和PbC2O4为反应物,NaCl和NaCl-KCl为熔剂,于820-1000℃保温2h制备了纯净的PbTiO3粉体.熔盐法制备过程中盐的用量以及温度明显的影响晶粒的尺寸,当温度低于900℃时,在氯化物盐中随着温度的升高,品粒尺寸逐渐增大;当温度高于900℃时,晶粒尺寸随温度的升高变化不大,品粒最终发育为较完整的球形.熔盐合成晶体生长过程为扩散机制控制,通过调整熔盐的用量及温度可以控制晶粒的尺寸与形貌.熔盐法制备PbTiO3粉体工艺流程简单,时间短,产量大,成本低,无污染.  相似文献   
9.
热镀锌行业三废治理与再利用   总被引:2,自引:0,他引:2  
热镀锌生产过程中产生废气、废液、废渣和废灰,对于这些物质的治理和再利用是保护环境,提高经济效益的重要方面。本文论述了热镀锌行业产生的三废的治理与再利用状况,评述了处理废液、废气、废渣和废灰的不同方法。  相似文献   
10.
介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅铁,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限制。新型的沉积方法为电沉积法。电沉积法涉及高温熔盐,但其所得渗硅层质量性能良好,很受国外工作者的欢迎。本文介绍了各方法的影响因素,回顾了电沉积硅的历史,指出电沉积硅法具有良好的发展趋势。  相似文献   
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