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1.
1 IntroductionThesubsurfacelayerpropertyofGaAssubstrateisofgreatinfluenceontheperfor manceofdirectionimplantationde vices[1 ].Severalmethodshavebeendevel opedtoinvestigatethelatticeperfectioninthesubsurfacelayer ,suchasTEMobserva tionandX rayrockingcurveana…  相似文献   
2.
采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.  相似文献   
3.
X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.  相似文献   
4.
磷化镓材料市场前景   总被引:1,自引:1,他引:0  
陈坚邦  钱嘉裕 《稀有金属》2000,24(5):373-377
综述世界GaP材料及LED的产销现状、市场前景。预测2000年普通可见光LED增长率为10%,高亮度LED为30%,GaP衬底材料增长率不低于10%。GaP单晶以LEC法φ50~62mm为主,并朝着减少材料位错密度和降低成本方向努力。  相似文献   
5.
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化  相似文献   
6.
StatisticalMechanicsModelofLiquidBinaryAiloyFanChengcai,WangJianandLiWenchao(樊成才)(王俭)(UniversityofScienceandTechnologyBeijing...  相似文献   
7.
采用非接触式激光/微波光电导衰减技术(LMPCD)对Φ50.8mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测,得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明,复合寿命为几百纳秒,在径向呈“M”型分布,和半绝缘GaAs晶片中EPD的“W”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上,对GaAs晶片的寿命进行了讨论。  相似文献   
8.
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.  相似文献   
9.
StatisticalMechanicsModelofLiquidBinaryAlloy(Ⅱ)─ParametersofLiquidBinaryAlloyFanChengcai,WangJianandLiWenchao(樊成才)(王俭)(李文超)(U...  相似文献   
10.
介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。  相似文献   
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