深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍     

一种新的金属膜干法刻蚀技术

<正> 在硅器件和集成电路生产中,广泛采用金属膜(如Al,Au等)做电接触的互连线,常规的刻蚀方法是采用化学溶液腐蚀,叫湿法.本文报道了一种新的金属膜干法刻蚀技术——气相刻蚀.图1是该技术的刻蚀反应室,整个系统由一个带有加热器的反应室和输入反应气体的装置组成.刻蚀前后的工序与常规光刻技术相似,但曝光显影后无需坚膜即可放入反应室中,在一定温度和气体流量下完成刻蚀.实验发现,通过选择输入适宜     

同步辐射光刻技术研究进展

光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术。X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种，具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点，本文报告了国内利用同步辐射源的X射线掩模和光刻技术研究的最新进展。     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构.视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等.利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜观测结果,分析了富硅型SiNx膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响,对富硅型SiNx膜的LPCVD生长工艺进行优化,大大降低了膜的张应力,无支撑成膜面积可达40mm×40mm.通过这一研究结果,实现了LPCVD可控制生长确定张应力的SiNx膜.     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 膜     

0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明,Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止ＧａＡｓ合金点的形成是取得良好的对准标记的关键。     

深亚微米同步辐射x射线光刻技术

报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米 x射线光刻图形的实验结果     

反应离子束刻蚀及其应用

本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和铝的刻蚀率之比可达8.8.因此,反应离子束刻蚀和掩模转换技术已用来制造高深宽比的、精细的x射线金掩模图形.