Mo/Al/Mo结构电极的坡度角和关键尺寸差研究

Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极,刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数,进而控制坡度角和关键尺寸差,这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响,并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明:Al膜厚每减小60nm,坡度角下降约9°,关键尺寸差增加0.1μm。曝光工艺中,显影后烘烤会增加光阻粘附力,导致关键尺寸差减小0.1μm,同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中,过刻量每增加10%,坡度角下降3.3°,关键尺寸差增加0.14μm;正交试验结果表明,对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是:液刀流量Air Plasma电压水刀流量。经上述探究表明,坡度角和关键尺寸差呈负相关关系,刻蚀程度增加,关键尺寸差增加,而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。     

活性氧与放射性皮肤损伤的研究进展

机体受到意外照射或在接受放射治疗时会引起放射性皮肤损伤,皮肤组织中最先发生水分解而产生活性氧,其次呼吸链及炎症过程也会产生大量活性氧。活性氧作为信号分子在调控生理生化过程中起到了不可替代的作用。本文就辐射刺激后皮肤内活性氧变化、活性氧干预放射性皮肤损伤的机制以及活性氧消除调控放射性损伤等三个方面的研究进展进行综述,旨在...     

阵列基板栅极制程的Cu腐蚀研究

在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。     

橘皮残渣中水不溶性膳食纤维提取工艺研究

提取果胶和橙皮苷后残余的橘皮渣是一种极好的水不溶性膳食纤维来源。为了进一步实现对橘皮渣的二次利用,研究了采用化学方法从残余的橘皮渣中提取水不溶性膳食纤维(IDF)的提取工艺,同时对IDF的脱色工艺也进行了研究。结果表明,水不溶性膳食纤维最佳提取工艺条件是:NaOH浓度0.25mol/L、碱浸泡温度50℃、碱浸泡时间1.0h、固液比1∶15。膳食纤维脱色最优参数为:H2O2浓度为4%、脱色温度60℃、脱色时间3h、pH为9。在该条件下,不溶性膳食纤维产率为65.98%,提取率高达92.86%,产品颜色为乳白色。