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1.
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2~7 GHz频带内,小信号增益G>18 dB,输入回损<-10 dB,脉冲饱和输出功率Po>5 W,功率增益GP>15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.  相似文献   
2.
低渗透油田压裂开发的新方案   总被引:2,自引:1,他引:1  
乔新  闫锐 《测井技术》1994,18(1):39-43
乔新,闫锐,王泰.低渗透油田压裂开发的新方案测井技术,1994,18(l);39~43影响低渗透油田开发效果的主要因素是裂缝。本文利用地层倾角测井资料对地质构造、沉积环境、裂缝、地应力等方面进行研究,并根据本地区油田的实际情况,选择合理的设计往采井网,为低渗透油田的开发提供了依据,在实际生产中提高了开发效果。  相似文献   
3.
基于兴趣区域的图像检索方法的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
目前大多数基于内容的图像检索(CBIR)技术都依赖于图像的全局特征(例如颜色、纹理直方图等),这样图像的空间布局特征被忽略了。由此提出的图像检索方法克服了这个问题,它是基于如下原则:用户应最有资格指定查询”内容”,而不是计算机,该方法使得用户能够选择多个”感兴趣区域”并且在检索过程中指定它们的空间布局相关性。  相似文献   
4.
本文利用灰色系统理论对某大型水库经济发展现状进行了关联分析,建立了适用于水库特点的灰色预测模型,提出了对经济发展具有指导意义的建议和对策,丰富了水库经济量化分析的方法。  相似文献   
5.
Word操作题自动阅卷的设计与实现   总被引:15,自引:1,他引:15  
讨论了Word操作题的组织形式和录入技术,设计了一个自动阅卷方案,该方案已在山西省计算机应用能力考核系统中实现。  相似文献   
6.
闫锐  汤楠 《焊接技术》2012,41(11):50-53,0
提出了一种基于光编码技术深度传感器的埋弧焊焊缝检测方法,提高了埋弧焊焊缝的检测速度与准确度以及抗干扰能力。通过对埋弧焊焊缝空间特征以及深度传感器采集的图像数据分析,确定深度图像中深度值最大的点即为焊缝中心处。根据这一特征给出了确定埋弧焊焊缝中心的一种快速算法,计算寻找图像中每行像素深度值最大的点,并根据这些点来确定焊缝的中心位置。这种检测方法对图像预处理要求低,计算速度快并且对光源无要求。试验表明:该方法准确、快速、稳定并且抗干扰能力强。  相似文献   
7.
S波段脉冲大功率SiC MESFET   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。  相似文献   
8.
介绍了定义SPC控制限和规范限的一套方法.在多品种小批量的化合物半导体前道工艺线推行SPC的过程中,针对不同参数的性质不同,分别总结出了三种不同的定义方法,从而对前道工艺流程的全部参数实行了SPC监控,并在实际的控制中证明该方法是有效的.该方法解决了困扰SPC使用者如何定义控制限和规范限的难题,尤其对于刚开始推行SPC的生产线有借鉴意义.  相似文献   
9.
本文介绍了所开发的电控天然气发动机监控系统 ,该系统可以对天然气发动机的工况参数和电控单元 (ECU)控制参数进行实时采集、图形化显示、在线调整和离线图形化处理。该系统的研制成功对于加速天然气发动机电控系统的开发和应用具有重要意义。  相似文献   
10.
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件。实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W。该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构。不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4%以内,片间均匀性也达到了5%,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求。  相似文献   
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