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1.
井下液体流速检测仪的研制   总被引:4,自引:1,他引:3  
介绍了一种井下低流速液体流速检测仪的研制 ,阐述了利用 2DCM硅磁敏二极管和波纹管制造井下液体低流速传感器的设计原理与结构 ,提出了用XTR10 4补偿电路和智能化检测系统的方案 ,实验结果表明 ,该项技术方案是可行的  相似文献
2.
非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文提出了一种非对称基区梳状温度补偿晶体管的设计原理,并给出了这种晶体管基极电阻比η的计算公式.理论分析与实验结果表明,采用本文给出的公式确定基极电阻比η,所设计的非对称基区梳状晶体管,对半导体敏感元器件灵敏度温漂进行补偿时有最佳的补偿效果.  相似文献
3.
硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的异同   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文在文献(1~5)的基础上,进一步应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的机理,并给出了硅在这两种腐蚀液中各向异性腐蚀速率的实验结果.  相似文献
4.
利用MEMS研制微型气流传感器的特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文在介绍采用硅微电子加工系统制造硅型气流传感器结构和工作原理的基础上,对其测试结果和多晶硅电阻特性进行了分析。  相似文献
5.
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管   总被引:2,自引:1,他引:1  
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。  相似文献
6.
PTCR阵列式液位传感及检测系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
液位检测涉及的面甚广,如化学工业、水文、地质、环保等领域.因它们各有特点和要求,出现了众多类别的液位传感器.80年代末,德国VDO汽车公司推出以NTC温敏电阻为主体的液位传感器.可惜,在恒电压条件下,空载测试时,容易遭致损坏.所以,我们改用PTC  相似文献
7.
采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,最大可达227%/T,具有负温度系数且温度系数较小。同时,给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。  相似文献
8.
真空镀膜中膜厚均匀性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,因此膜厚不同。其差别可达 1%~ 2 0 %,但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源 ,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置 ,使误差可控制在 1%,甚至 0 .1%。  相似文献
9.
研究了《100》单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜,在EPW腐蚀液中因《100》单晶硅腐蚀速率各向异性,在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜.基于EPW腐蚀液中《100》单晶硅存在严重凸角削角,采用带锯齿(9个、20个、36个)结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜,通过采用SEM观察,随腐蚀时间增加,圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形,而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形.结果表明,利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象,能够实现近似圆形硅膜的制作.  相似文献
10.
温殿忠 《传感技术学报》2006,19(5):2050-2053
阐述了多层膜巨磁电阻自旋阀的设计原理和采用金属掩膜版磁控溅射的方法研制多层膜巨磁电阻自旋阀的工艺.制造的多层膜巨磁电阻采用[Co/Cu/Co]三重结构.同时分析了制备的Cu、Co纳米膜的形貌以及利用自旋阀GMR传感器测试得到的实验校准数据并绘制出输出-输入曲线.实验结果表明,制造的巨磁电阻提高了低场下的磁灵敏度,可以用来检测不同方位地磁场的大小,用该方法制造巨磁电阻的迟滞为0.01%F.S.文中介绍的多层膜巨磁电阻制造方法具有工艺简单、可与IC工艺相兼容的优点,有推广应用前景.  相似文献
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