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1.
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高.在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点.测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×105次,0~10GHz的插入损耗在0~0.5dB,隔离度为35~45dB.  相似文献
2.
郭兴龙  蔡描  刘蕾  李国栋  赖宗声 《传感技术学报》2006,19(6):2425-2427,2431
在硅衬底上设计了频率分别为11.7 GHz和12.7 GH的双波段缝隙天线,此设计利用RF-MEMS开关来实现天线的频率重构;天线结构紧凑、共平面波导馈电,采用IC工艺制作,为下一代无线通讯和天线集成具有重要的参考价值.采用3D电磁模拟软件HFSSR模拟了天线在低频和高频的反射损失分别为29.5 dB和25 dB;并且天线在低频和高频都有较高的辐射效率.  相似文献
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