基于人工局域表面等离激元的液晶微波介电常数测量传感器

液晶材料在微波频段具有良好的调制特性，在微波可调谐器件领域具有巨大的应用潜力。本文针对液晶材料微波介电常数的测量需求，提出了一种基于人工局域表面等离激元谐振的传感器。通过设计环形谐振器结构，在sub-6 GHz频段形成局域表面等离激元窄带谐振峰。通过给液晶施加外加电场，能够实现对液晶介电常数的调控。通过谐振频点位置的拟合，能够得到对应的液晶的介电常数大小，从而实现液晶材料在微波频段的介电常数的测量。本文研究了不同液晶层厚度、不同液晶介电常数对人工局域表面等离激元谐振频点的影响。随着液晶层厚度增加或者液晶介电常数的减小，谐振频点f₁和f₂都逐渐增大。当液晶层厚度大于或等于0.5 mm时，谐振频点f₁和f₂随介电常数的变化具有良好的线性度，且具有高灵敏度(>400 MHz/Δε)，远大于基于目前报道的其他形式介电常数传感器。同时，本传感器结构可以在液晶层上下施加电场，从而实现在不同外加电场作用下液晶材料微波介电常数的测量，在液晶微波特性研究领域具有应用潜力。     

区域熔融技术在InSb薄膜热处理中的应用研究

对真空分层蒸镀的InSb薄膜进行了区域溶融热处理，与普通升温热处理相比，薄膜的结晶度和电学性能有较大的提高。应用成膜理论分析了区域熔融技术对于InSb薄膜结构和性能的影响。     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

H.264/AVC中CAVLC解码器的硬件设计与实现

设计了一种基于H.264标准的CAVLC解码器,码流输入单元采用桶形移位器,以实现单周期解一个句法元素,在各解码模块中采用码表分割、算术逻辑替代查表、零码字跳转等关键技术,在减少路径延迟和提高系统吞吐率的同时,节省了硬件开销。整个设计采用Verilog语言实现,在XILINX的ISE8.2开发环境下通过FPGA验证,使用Design Compiler在SMIC0.18μm CMOS单元库下综合,时钟最高频率可以达到165MHz。本设计可满足实时解码H.264高清视频的要求。     

一种带曲率补偿、工作电压1.2 V、可调带隙基准电压电路

在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25~125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25~125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。     

Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究

本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.     

压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态性能影响

采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明：器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果,且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时,悬臂梁固有振动明显,并且,器件动态冲击响应峰值电压随着压阻掺杂浓度升高而降低;当r在20℃附近,峰值电压随掺杂浓度变化不明显;当T〉20℃时,随着温度升高,悬臂梁固有振动频率渐受压制,传感器动态冲击响应渐表现为受加速度冲击受迫振动,且峰值电压随掺杂浓度提高而增大。在1×10”～1×10^21cm^-3。范围内,在0,20,100℃时,峰值电压差值分别为2,0,9mV。     

AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用

研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。     

0.6V CMOS低噪声放大器的设计与优化*

采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA).分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 dB,输入回波损耗S11为-12.18 dB,噪声系数NF为1.2 dB,1 dB压缩点为-17.99 dBm,在0.6V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 mW,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能.     

MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性

运用薄膜技术在镍基弹性体上制备金属 -绝缘层 -金属 (MIM)结构的薄膜应变栅 ,测试了应变栅在 2 0 0～ 30 0℃的高温区内的稳定性 ,并分析了应变栅薄膜的结构、薄膜的应力以及热处理工艺等因素对力敏薄膜在高温下的稳定性的影响。