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2.
桌面云作为运营商IT架构云化的切入点,已在小规模试点工程中取得了成功,但此种创新类项目大规模推广会对现有技术架构及管控体系产生较大冲击,因此在实际应用中,亟需解决如何保障用户体验,实现平滑过渡等问题。立足于运营商营业厅类生产任务型场景,分析了传统架构在大规模推广条件下的种种不足,建立了一套适应未来发展的一体化桌面云架构,并以用户体验为核心,对传统架构中资源调度与管理策略进行了优化。 相似文献
3.
随着计算机技术和网络技术的大力发展,高职院校基本都已建立了自己的校园网.充分利用已建成的校园网建设数字校园是当前校园建设的一项重要任务.介绍了数字校园的概念、特点原则、目标、以及高职学校分阶段实施数字校园建设的规划. 相似文献
4.
5.
研究了测定直接酯化法合成对苯二甲酸双羟丁酯过程中液相里1,4-丁二醇含量的气相色谱方法.为避免通常繁琐的衍生化步骤,采用了一个简便的前处理方法.该方法将1,4-丁二醇与高沸点组分分离,然后用内标法进行测定.该方法的精密度和回收率较好,可满足工艺要求. 相似文献
6.
7.
8.
基于55nm CMOS工艺,设计了一种具有宽动态范围的2.5Gb/s光接收机模拟前端电路。作为光接收机的输入级电路,为了获得低噪声和高灵敏度性能,跨阻放大器(TIA)基于三级反相器级联结构,同时采用双自动增益控制(DAGC)电路来扩大输入信号的动态范围。为了提高增益,引入后置放大器,包括电平转换电路和三级差分放大电路,同时利用电容简并的方法来进一步拓展带宽,最后进行缓冲器输出。测试结果表明,在误码率为10-12的情况下,光接收机的输入灵敏度为-26dBm,过载光功率为3dBm,动态范围达到29dBm。光接收机在3.3V供电电压下,电流功耗为36mA,整体芯片面积为1176μm×985μm。 相似文献
9.
在高压VDMOS器件中,保证足够高的漏源击穿电压BVPT和尽可能低的比导通电阻Ron是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的VDMOS,Ron主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的VDMOS穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ron的理论分析,首次得到了Ron随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。 相似文献
10.
6H-SiC单极功率器件性能的温度关系 总被引:1,自引:0,他引:1
基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性 相似文献