变质胺液净化复活技术进展

用于脱硫及脱碳的胺液在长期使用中因降解或杂质混入发生变质，导致脱硫脱碳效率下降、胺液发泡、装置腐蚀及能耗增大等系列问题，而胺液净化复活技术是解决胺液系统问题的有效手段。本文从变质胺液中污染物出发，分别总结了固体颗粒物、烃类及表面活性物质、胺变质产物及热稳定盐的成因、危害及其控制手段。针对热稳定盐等重点难处理污染物，主要介绍了蒸馏回收、离子交换以及电渗析等净化技术的技术原理及国内外研究与应用概况，并对技术特点进行总结分析。最后通过技术对比指出，电渗析因具备胺液回收率高、热稳定盐净化深度高、能耗适中、产生少量易处理污染物等特点，是我国在胺液净化复活技术领域最具潜力的发展方向。     

PCA系列自制聚羧酸高效减水剂的性能研究

在自制聚羧酸缓凝减水剂PCA基础上,通过掺加单体总质量15%丙烯酰胺,聚合得到聚羧酸减水剂PCA-AM15;通过添加还原剂V降低反应能耗,常温聚合得到聚羧酸缓凝减水剂PCA-AMV15。对PCA、PCA-AM15和PCA-AMV15进行水泥净浆性能测试。结果表明,在水灰比0.29,掺量为水泥质量0.3%的情况下,PCA-AM15具有良好的净浆力学性能,减水率达到35.2%,缓凝效果低于PCA,初凝和终凝时间分别为453 min和647 min,3 d、7 d和28 d水泥净浆试块抗压强度分别达到了70.9 MPa、89.5 MPa和97.4 MPa,优于PCA;由于还原剂V的加入,PCA-AMV15净浆力学性能与PCA-AM15相似,3 d、7 d和28 d水泥净浆试块抗压强度分别达到了69.0 MPa、86.4 MPa和97.0 MPa。在保持产品性能基本不变的情况下,通过适当丙烯酰胺和还原剂V可调整产品质量及成本。     

红曲霉的分离纯化及酯化酶活性研究

从汾酒生产环境分离到2株红曲霉,经菌落及显微形态初步鉴定为烟色红曲霉和橙色红曲霉。采用对硝基苯酚法对菌株产酯化酶进行分析,结果表明,在固态发酵条件下,培养基水分(水分/高粱)为1.4、35℃、pH6.5、发酵时间为8 d时,酯化酶酶活较高,达到2.46 U。     

未知环境下的蚁群-聚类自适应动态路径规划

针对用于动态环境中的机器人路径规划的蚁群算法存在收敛速度慢,路径累计转折角大,对环境变化适应性低等问题,提出了一种未知环境下的蚁群-聚类自适应动态路径规划方法。依据聚类算法对环境复杂程度的准确判别自动改变寻优半径,达到充分利用机器人有限的计算能力,提高收敛速度的目的;通过识别对角障碍,生成虚拟障碍,确保规划的路径不穿过对角障碍;通过平滑机制对搜索的动态路径做平滑优化处理,有效降低了路径长度,减少了累计转折角。仿真结果表明,提出的算法能够根据障碍的复杂程度自动选择合适的搜索半径,完成路径的动态规划,体现出良好的环境适应能力和较好的综合路径优化性能。     

工业电机的滚动轴承故障及维修措施探析

在工业电机的长期运行中,最常出现的故障是轴承失效。作为承载和转动的核心零部件,往往处于较为复杂的工况,非常容易受到损伤。文章根据实践经验,对工业电机中常见的轴承故障进行了详细的剖析,并对轴承故障的原因及改进措施进行具体的论述,为工业电机的维修和保养提供有效的技术支撑。     

地质工程一体化在克深24构造高效勘探中的应用

针对库车坳陷克拉苏构造带克深24构造勘探阶段面临的井位部署、钻井提速和完井提产问题,从地质工程一体化角度进行分析。井位部署阶段,预测控制构造的断裂活动性差,有利于油气保存;在地质预测基础上,根据地质力学研究明确了浅层高陡地层、砾石层、泥岩层、膏盐岩层和裂缝性砂岩层5类不同岩层的井壁稳定性,提出钻井液性能优化措施;在完井阶段,根据地质力学特征,制定合理的提产方式,并对改造层段、施工压力、射孔簇等进行优化。根据研究结果陆续上钻克深24井、克深241井等9口井,未发生较严重复杂现象,平均提速39%,创克拉苏构造带最快钻井纪录。完钻的5口井采用不同的方式改造,平均单井日产气量31×10~4m~3,平均无阻流量170×10~4m~3/d,勘探成功率和高产井比例均达到100%.在克深24构造勘探实践中,形成了地质工程一体化研究及应用流程,并融入到井位部署—钻完井工程一体化中,成为解决复杂地质条件下生产难题的有效手段。     

超小绒面硅基太阳能电池电学性能的数学模拟分析

在充分考虑纳米柱结构太阳能电池的几何特性与低反射率特性的基础上,建立了硅基纳米柱太阳能电池的数学模型,分析了电池单元纳米柱的长度、硅衬底缺陷密度以及表面空穴的复合速率对纳米柱太阳能电池的开路电压、短路电流以及转换效率的影响。结果表明：在纳米柱电池设计制作过程中,低反射率仅是高性能电池的关键因素之一;电池纳米柱的最佳长度...     

Optimization of Al_2O_3/SiN_x stacked antireflection structures for N-type surface-passivated crystalline silicon solar cells

In the case of N-type solar cells,the anti-reflection property,as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency,has been optimized using a stacked Al₂O₃/SiN_x layer.The effect of SiN_x layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement.In the stacked Al₂O₃/SiN_x layers,results demonstrated that the surface reflection property can be effectively optimized by adding a SiN_x layer,leading to the improvement in the final photovoltaic characteristic of the N-type solar cells.     

A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC

A Ka-band GaN amplifier MMIC has been designed in CPW technology,and fabricated with a domestic GaN epitaxial wafer and process.This is,to the best of our knowledge,the first demonstration of domestic Kaband GaN amplifier MMICs.The single stage CPW MMIC utilizes an AlGaN/GaN HEMT with a gate-length of 0.25μm and a gate-width of 2×75μm.Under V_ds=10 V,continuous-wave operating conditions,the amplifier has a 1.5 GHz operating bandwidth.It exhibits a linear gain of 6.3 dB,a maximum output power of 22 dBm and a peak PAE of 9.5%at 26.5 GHz.The output power density of the AlGaN/GaN HEMT in the MMIC reaches 1 W/mm at Ka-band under the condition of V_ds=10 V.     

Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications

An optimized modeling method of 8 × 100 μm AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) for accurate continuous wave (CW) and pulsed power simulations is proposed. Since the self-heating effect can occur during the continuous operation, the power gain from the continuous operation significantly decreases when compared to a pulsed power operation. This paper extracts power performances of different device models from different quiescent biases of pulsed current-voltage (I-V) measurements and compared them in order to determine the most suitable device model for CW and pulse RF microwave power amplifier design. The simulated output power and gain results of the models at V_gs = -3.5 V, V_ds = 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.