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指出了二进制(2n)功率合成方式的不足,介绍了波导—微带探针过渡和3 dB分支波导定向耦合器的原理。提出了改进型分支波导三路功率分配器,该结构具有损耗低、驻波好、幅度相位一致性好和端口隔离度高等优点。针对现有合成方式的不足,提出了一种新型基于波导的Ka频段六路功率分配/合成网络,该结构由改进型分支波导三路功率分配器、3 dB分支波导定向耦合器和E面波导—微带探针过渡组成。 相似文献
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介绍了C/L宽带下变频模块的设计。下变频模块的功能是将接收到的3.4~4.2GHz射频信号下变频到0.95~1.75GHz的中频信号。实际制作的下变频模块变频增益为30dB±1dB,噪声系数小于7.5dB,镜像抑制大于110dB。对电路中的一些主要部件进行了简要的理论分析,详细描述了AnsoftDesigner和HFSS软件的协同仿真。试验结果证明,电路仿真软件和三维结构仿真软件的协同仿真比单纯使用Designer电路软件仿真更为精确。 相似文献
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阐述了3 dB分支波导定向耦合器、波导—微带双探针过渡、改进型波导T型结的原理,介绍了一种4路功率分配/合成网络。提出了一种8路功率分配/合成器,其结构具有插入损耗低、输入驻波好、幅度相位一致性好等优点。研制了50 W Ka频段固态功率放大器,由驱动级放大器、8路功率分配/合成器和8个7 W功放模块组成,在29~31 GHz频率范围内实现了大于50 W的线性输出功率,合成效率高于80%。 相似文献
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Ka频段下变频模块设计 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了Ka频段下变频模块的设计。该模块的功能是将接收到的19.2~21.2GHz射频信号下变频到2.2~4.2GHz的中频信号。实际制作的下变频模块变频增益为20dB±1 dB,噪声系数小于6dB,镜频抑制大于100dB。该模块在Ka频段卫星通信系统中有着广阔的应用前景。试验结果证明,微波CAD工具的应用不仅降低了产品的研制成本,而且缩短了产品从电路设计到批量生产的时间。 相似文献
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背面通孔是GaAsMMIC制造工艺中的一个重要步骤。通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1] 。背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响。因此 ,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要。样品制备样品正面用高温蜡粘在蓝宝石衬底上 ,背面蒸30 0nm的镍 ,作为掩膜。背面通孔在PlasmaTherm790平板型RIE中进行 ,通孔结束后 ,背面金属化 ,背面电镀。将样品从通孔的中间位置切开 ,用双面胶带纸将样品粘在特制的样品台上。样品制作好后 ,选择 15kV高压 ,在不同放大倍数下 ,用… 相似文献
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根据智能教学系统的特点,在分析现有智能教学系统特点的基础上,提出一种面向语义Web的智能教学系统模型,分析系统各组成部分的功能。在系统模型中引入领域本体组织教学内容,并运用网络爬虫工具获取网页新知识更新教学内容,以提高系统的适应性,取得良好的效果。 相似文献
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半磁半导体材料GaMnAs 总被引:2,自引:0,他引:2
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点。系统地介绍了GaMnAs材料的结构,制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析。 相似文献