数字磁通门传感器的自动相位对准

三轴数字磁通门传感器信号处理电路的延时(相位延迟)及各轴延时不一致,影响数字滤波器的输出性能。提出了基于加权最小二乘法的互功率谱相位法计算延时的方法,针对该数字滤波器的特性,选择传感器的不同谐波信号对比分析相位延迟计算的精度,并设计了传感器的自动相位对准方法。实验结果表明:该计算方法精确有效,自动相位对准使滤波器输出性能提高25.89%。     

高效自适应电荷泵研究与设计

针对小型LCD的LED背光驱动芯片的电源效率问题,研究并设计了一种高效的1X/1.5X自适应电荷泵.采用结构简单而实用的PAM负反馈控制技术,使电荷泵输出电压得以稳定.分析了电荷泵相关性能,讨论了电路高效优化设计的措施.在0.6 μm BiCMOS工艺模型下对电路进行了仿真,结果表明电荷泵能够实现1X/1.5X自适应模式变换功能,具有电源转化效率高(90.8%)和输出纹波低(67 mV)的特点.     

分布式雷达检测数据融合系统及性能分析

研究了基于奈曼一皮尔逊准则的分布式并联融合系统的检测理论，给出了使系统性能达到最优的融合中心的融合规则和传感器的决策规则，提出了一种融合系统性能优化算法，将其应用于雷达网数据融合，并就三部雷达沿直线部署的具体情况进行了计算机仿真。结果表明：相对于单部雷达而言，融合系统的性能有非常显著的改善。     

光寻址电位传感器的噪声分析与信号处理方法研究

鉴于光寻址电位传感器(LAPS)的响应信号较弱,传统的抽取频域基波分量的方法易受信号漂移和随机噪声的影响,提出了一种基于频域分量均方根和卡尔曼滤波的两步信号处理方法。基于光寻址电位传感器件的理论模型构建了其等效电路模型,推导得到输出信号的表达式,分析了漂移与噪声产生的原因及其抑制方法。通过实验检测了不同pH值的溶液,并采集了系统输出的光电流信号。求取信号傅里叶变换后频域中的基波分量、二次谐波分量、三次谐波分量的谱线幅值的均方根,然后对归一化电流-偏压(I-V)特性曲线进行卡尔曼滤波。实验结果表明,相对于单纯抽取基波分量的方法,基于频域分量均方根和卡尔曼滤波的两步信号处理方法使检测结果的均方差(MSE)降低了97%,显著减少了信号漂移和随机噪声对检测结果的影响。     

传感器温度补偿的调试规律研究

从理论上分析了线性传感温度补偿的调试过程,并指出多次温度试验是调度验是调度费用增加的主要原因。针对此问题,提出了一种新颖的温度补偿的调试方法－－在调整补偿的调试过程,并指出多次温度试验是调度费用增加的主要原因。针对此问题,提出了一种新颖的温度补偿的调试方法－－在调整补偿量时,用测量调整前后传感器输出的变化量（ 我调整量）的方法来准确控制补偿量的大小。为了便于调度掌握,将零位和灵敏度温度补偿的调试     

改进的射极跟随器增广电流镜

本文提出了一种适用于数模混合电路的低压、大电流比电流镜结构.这种电流镜结构在传统射极跟随器增广电流镜的基础上进行改进,添加一个用作射极跟随器的PNP管.和传统射极跟随器增广电流镜一样,其最小输入电压不仅取决于输入电流范围,还与连接在两镜像管发射极的负反馈电阻(用以提高精度)的大小有关.在射极负反馈电阻对应相等的情况下,工作在合适偏置电流下的改进电流镜不仅输入电压比传统射极跟随器增广电流镜低一个PN结导通电压,其精度也要比传统结构的高.     

通用总线控制器抗SEU加固设计研究

随着集成电路制造技术的发展,寄存器和SRAM等存储单元在空间辐射环境中越来越容易受到单粒子翻转(SEU)效应的影响.传统抗SEU加固方法分为工艺加固和设计加固,前者依赖于工艺平台,难度大、周期长,后者仅针对芯片内部特定SEU敏感单元.通过提出一种针对通用总线控制器的芯片级抗SEU加固设计方法,采用冗余编码和刷新技术,可以进一步提高芯片的抗SEU能力;通过划分影响域和添加中断源,便于定位芯片中SEU敏感位置,从而有利于片内刷新操作和后续设计优化.实验结果表明,与传统的辐射加固方法相比,新方法具有更高的辐射可靠性和容错能力.     

An on-chip electroosmotic micropump with a light- addressable potentiometric sensor

An on-chip electroosmotic (EO) micropump (EOP) was integrated in a microfluidic channel combined with a light-addressable potentiometric sensor (LAPS). The movement of EO flow towards right and left directions can be clearly observed in the microfluidic channel. The characteristics of photocurrent-time and photocurrent-bias voltage are obtained when buffer solution passes through the sensing region. The results demonstrate that the combination of an on-chip EOP with an LAPS is feasible.     

用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究

采用直流磁控溅射方法制备了一种适用于微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶软磁铁芯薄膜,并对薄膜进行了200℃外加面内横向磁场的真空退火。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线扫描仪(XRD)以及扫描电子显微镜(SEM)测试了薄膜的磁滞回线、相组成、表面形貌并进行了成分分析;使用制备得到的薄膜作为双铁芯磁通门的铁芯,测试了磁通门的激励电流、灵敏度和线性范围。结果表明,制备得到的薄膜主要呈非晶态,具有较大的相对磁导率并且磁滞回线在小磁场下出现明显的拐点;用作磁通门铁芯薄膜时,能得到类似使用Co基非晶带材铁芯时的明显的磁通门信号;工作在40kHz时,磁通门传感器能以有效值22mA的激励电流获得2700V/T的输出电压灵敏度。因此,制备得到的薄膜适用于低功耗、高灵敏度微型磁通门传感器。