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1.
为了提高设计创新效率,本研究基于心理图式提出了国庆彩车的设计程序与方法。研究按照浅层、中层和深层的次序递进,设计心理图式划分为“造型图式”“叙事与动作图式”以及“人物和情感图式”的基本类别,并提出了综合性、时态性、差异性和集体性四类基本属性。而后结合新中国成立70周年彩车设计,对不同心理图式的应用方法和属性进行了案例分析。本文所提出的方法在设计实践中得到了实证,具有一定的实用价值。 相似文献
2.
在连续流动固定床反应器上,采用不同类型的分子筛催化苯与甲醇的烷基化反应;考察了反应温度、空速、原料配比对烷基化反应的影响,适宜的工艺条件为:以HZSM-5分子筛为催化剂,空速为2.0 h-1、温度在460℃、n(苯)/n(甲醇)为1,此时苯的转化率为50.35%,甲苯、二甲苯的选择性90.12%。 相似文献
3.
4.
食品添加剂二氧化碳中10-9级的H2S采用全氟气路,微量硫专用色谱柱,钝化阀进样系统的气相色谱火焰光度法检测,该方法重复性好,操作方便,非常适用于食品添加剂二氧化碳的实验室质量控制。 相似文献
5.
基于Richards-Wolf的矢量衍射积分公式,研究了贝塞尔高斯径向偏振光束在衍射光学元件(Diffractive optical elements, DOE)的调制下入射到由 两个相同高数值孔径透镜组成的4pi聚焦光学系统中的聚焦特性。由于DOE不同环之间相互干涉的原因,出现不同于原贝塞尔高斯径向偏振矢量光束的新聚焦特性。数值模拟结果显示贝塞尔高斯径向偏振光束经过此光学系统后,在焦点附近产生沿光传播方向的多个光球,其光球的个数与DOE的环数以及不同环的大小有关。若调节4pi聚焦系统两侧入射光束的整体相对相位还可以实现多个光球整体沿纵向方向的移动,实现了亮光链的作用,这对于矢量光束应用在光学显微镜、光存储和粒子操控等方面具有十分重要的意义。 相似文献
6.
In this paper, an N-doped titanium oxide (TiO2) photocatalyst is deposited by a plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) system through the in-situ doping method. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis indicates that substitutional nitrogen atoms (-395.9 eV) with 1 atom% are effectively doped into TiO2 films. UV-VIS spectrometry shows that the in-situ nitrogen doping method indeed enhances the visible-activity of TiO2 films in the 425-550 nm range, and the results of the performance tests of the N-doped TiO2 films also imply that the photocatalysis activity is improved by in-situ doping. The in-situ doping mechanism of the N-doped TiO2 film is suggested according to the XPS results and the typical atomic layer deposition process. 相似文献
7.
8.
9.
3—氨基—4—甲氧基乙酰苯胺合成新工艺 总被引:4,自引:0,他引:4
以2,4-二硝基氯苯为原料,经甲醇醚化先制得2,4-二硝基苯甲醚,再经Raney镍催化氢化得2,4-二氨基苯甲醚,不分离直接进行选择性酰化,合成出重要分散染料中间体3-氨基-4-甲氧基乙酰苯胺,品质稳定,全程收率大于80%。 相似文献
10.
The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias. 相似文献