湘钢高炉煤气设备设施腐蚀原因及解决方案探讨

阐述了湘钢干法除尘后高炉煤气相关设备的腐蚀状况,通过对高炉煤气冷凝水和喷淋洗涤水、高炉煤气饱和水等对管道腐蚀机理研究,提出了盐酸的析氢腐蚀是造成湘钢高炉煤气管道腐蚀的主要原因,分析了高炉煤气中氯元素来源。并从高炉入炉炉料结构、工艺技术等方面给出了湘钢高炉煤气管道及附属设施腐蚀的解决方案。     

液氢零蒸发储存系统研究现状与展望

液氢储能密度大，应用前景广泛，实现零蒸发储存是液氢储存的目标。介绍了过热蒸气模型、两相流三维理论模型和三区模型等五种典型的理论模型。通过对模型的分析，总结了模型的发展方向主要为大型液氢储罐热分层和自增压现象的理论研究。分析了目前液氢零蒸发储存系统的关键技术，包括被动热防护技术、主动热防护技术和压力控制技术三个方面，指出了绝热材料性能、20 K温区制冷机效率和蒸气冷屏（VCS）为重要的发展方向。对国内外液氢零蒸发储存系统的发展进行了系统性的概述，分析了不同液氢零蒸发储存系统的实验结果，以及特点和不足。最后针对液氢零蒸发储存系统的发展提出了展望。     

引水隧洞施工及运营过程数值分析

利用ANSYS大型数值分析软件对引水隧洞TBM掘进段的施工及运营过程进行了三维数值模拟.采用生死单元,获得了隧洞在施工各个阶段的应力及位移释放情况.对数值计算结果进行了分析,得出一些有意义的结论,对大型隧洞工程的设计和施工具有指导意义.     

排水泵站隔仓化设计探讨及工程设计实例分析

结合对排水泵站隔仓设计的心得,介绍了排水泵站设计的新思路。讨论了排水泵站包括雨水泵站、污水泵站、合流污水泵站的隔仓化设计的适用范围、泵站形式及与一仓化泵站设计比较所带来的运行、维修、管理的优缺点。     

擅自开业 隐患重重 万州3A狂吧遭强制查封

3月20日，万州消防支队防火监督员会同辖区派出所民警将一张封条贴在了3A狂吧出人口的大门上，这家存在着重大火灾隐患的娱乐场所正式停止使用。     

基于区间数灰色关联决策的电力目标选择方法

针对传统方法不能很好地解决战场决策信息不确定的目标选择问题,通过对影响电力目标重要程度的评价指标进行分析,应用区间数灰色关联决策方法完成了电力目标选择模型的构建。模型中的指标权重通过组合赋权法获得。经实例验证证明,该方法是科学、合理的,对战时的指挥决策起到了较好的辅助作用。     

新型陶瓷3D打印机结构多目标参数优化设计

以一种新型陶瓷3D打印机为研究对象,提出以可操作度数、各向同性和工作空间三个性能同时最优为目标。首先介绍了机构的整体构型和喷头内部零部件的装配情况,其次在机构进行位置正逆解分析的基础上,推导出雅克比矩阵并求出关于三个优化目标的目标函数,依据空间几何关系确定约束条件,结合NSGA-Ⅱ算法进行优化得到了Pareto最优解,从中选取10组数据进行分析后最终确定了机构的尺寸参数。对优化前后的三个目标值进行对比分析可知,可操作度数和工作空间有所增大,各向同性的条件数适当减小,证明了算法优化的正确性。     

聚辛二酸木糖醇酯生物弹性体的制备与性能研究

以辛二酸和木糖醇为单体,通过熔融缩聚反应,得到一种网络型聚酯生物弹性体(PXO),并对其结构进行表征。研究表明,通过单体摩尔配比和反应条件的控制,材料具有可调的力学性能(拉伸强度0.16～1.72MPa、伸长率166%～212%),亲水性能(水接触角65°～81°)和吸水率(2%～16%);XRD和DSC分析表明,材料在室温下为无定形态和结晶态共存的微相分离结构,且材料的玻璃化转变温度都低于室温,是一种性能优异的生物弹性体。     

多路径环境下电信流量模型研究

在下一代通信网络中,一个终端可同时拥有多个网络接口,在一对源、目的终端间存在多条可用路径。这为网络通信提供了一种全新的思路,即利用多条路径并发进行数据传输。针对多路径传输出现的问题,文章为多路径传输建立了流量模型,分析了多路径传输流媒体的优势,提出了＂流体带宽＂和＂流体调度＂的概念,并引入网络流理论计算了多路径环境下的目标流量。     

A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect

The physical threshold voltage model of pMOSFETs under shallow trench isolation(STI) stress has been developed.The model is verified by 130 nm technology layout dependent measurement data.The comparison between pMOSFET and nMOSFET model simulations due to STI stress was conducted to show that STI stress induced less threshold voltage shift and more mobility shift for the pMOSFET.The circuit simulations of a nine stage ring oscillator with and without STI stress proved about 11%improvement of average delay time.This indicates the importance of STI stress consideration in circuit design.