EDTA对KDP晶体光学性质影响

本文探讨了不同掺杂浓度下,EDTA对KDP晶体光学性质的影响。结果表明,高浓度EDTA的KDP晶体光散射有明显的影响,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。     

6 kV F＋C开关分合闸异常分析

介绍了一起6 kV F＋C开关异常分合闸事故。通过对装置的检查和分析,确定了事故的原因,提出了在F＋C开关、控制逻辑和继电保护配合中需要采取的整改措施,以避免开关出现异常时造成相关电气设备的损毁事故。     

KDP晶体柱面生长速率实时测量研究

KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0．01μm／min．籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征, 溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的“异常”现象的根源．     

Handle-DNS名字服务系统的设计与实现

文章主要讨论了一种新的名字服务体系Handle—DNS的理论设计与具体实现。主要阐述了包括Handle—DNS基本理论、Handle—DNS系统架构、Handle—DNS实施方案、以及Handle—DNS系统实现等方面的内容，并最后简单分析了构建Handle—DNS系统的意义和研究前景。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

平板显示产业的发展现状和前景分析(液晶专题)

近年来，平板显示技术，尤其是液晶显示与等离子显示技术，在我国得到突飞猛进的发展，对我国显示产业从传统显示器向平板显示器的转型具有重要意义。本文从平板显示技术的基本概念、分类和产业链结构出发，结合近年来全球平板显示产业发展的背景，分析了我国平板显示产业的发展现状和趋势，并就深圳市平板显示产业的发展策略提出了建议。     

一种互联网资源标志与寻址技术:Handle System

互联网最基础的资源标志与寻址技术是域名和IP地址，随着互联网资源种类的增加，以及应用的发展，出现了对新一代互联网资源标志与寻址技术的需求。介绍了一种新的互联网资源标志与寻址技术，并将这种技术应用到域名系统中。     

KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究

目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.     

掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

有机聚合物材料折射率色散的研究

用Ｖ－棱镜折射率仪通过对３－（１,１－二氰基噻吩）－１－苯－４,５－二羟基Ｈ－噻唑（ＤＣＮＰ）与聚醚醚酮（ＰＥＫ－ｃ）组成的主客掺杂聚合物溶液的折射率的测量,在利用了Ｌｏｒｅｎｚ－Ｌｏｒｅｎｔｚ局域场的情况下,计算出了聚合物体系的折射率。由Ｓｅｌｌｍｅｙｅｒ色散方程对所测聚合物体系折射率的模拟,得到了聚合物体系折射率的色散曲线。聚合物的折射率的测量精度约为０．７％,而且聚合物与溶剂的折射率大的差值