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2.
针对矿用高压变频器常因 IGBT 模块内部发生局部放电而导致故障的原因和特性进行了研究。 本文从微观角度观察了 IGBT 模块局部放电发生位置的结构特点,发现其结构绝缘薄弱处在高斜率阶跃脉冲作用下易发生局部放电现象;建立了 IGBT 模块在阶跃脉冲作用下的局部放电过程模型,揭示其发生局部放电的机理;搭建实验平台,测试 IGBT 模块在单个脉冲作用下的局部放电特性。 实验结果表明,脉冲的上升时间、脉冲宽度是影响局部放电起始电压的主要因素;根据实验数据的分析,提出了预测局部放电起始电压的计算公式。 研究结果可为煤矿电力电子设备 IGBT 模块的绝缘设计和使用时的电压限制提供参考依据。 相似文献
3.
4.
向Ag30CuZnSn药芯银钎料药粉中添加Ga2O3,研究了Ga2O3对Ag30CuZnSn药芯银钎料钎缝组织的影响及钎焊接头性能的影响. 结果表明,微量Ga2O3可以显著提高Ag30CuZnSn药芯银钎料的润湿铺展性能且可以减少药芯中钎剂的添加量. Ga2O3添加量为0.4%(质量分数)时,钎料润湿铺展性能和钎焊接头抗剪切强度达到最佳值. 这是因为Ga2O3属于表面活性物质,可以显著降低熔融钎料和母材之间的界面张力,从而提高了钎剂粉末的去膜效果,进而提高银钎料的润湿铺展性能. 药芯银钎料基体及钎缝组织主要由以CuZn相为主的固溶体、银基固溶体和铜基固溶体构成. 火焰钎焊时,添加0.4%Ga2O3(质量分数)时作用效果最佳,钎缝组织的细化与钎着率的提高(钎着率提高至95%以上)使得钎焊接头抗剪强度提高了11%以上,钎焊接头断口组织的形貌证明了上述结果. 相似文献
5.
微量硅在925银铸造过程中可促进合金脱氧,提高合金熔体的洁净度和流动性,但过量硅会劣化合金性能。采用光学显微镜和电子显微镜研究添加微量硅(0.09%~0.15%)对925银微观组织变化的影响。结果表明,随着硅含量升高,925银合金中一次枝晶组织粗大,二次枝晶臂间距增大,当二次枝晶臂间距大于10 μm,合金断裂趋势显著增加。硅元素在925银合金中形成黑色低熔铜基共晶相,并由1~10 μm的点状相转变为8~20 μm的断续条状相,显微硬度变化与共晶二次析出相比例呈对应关系。在925银中梯度添加微量硅使合金硫化腐蚀后色差缩小,提高合金的抗硫化腐蚀变色能力。 相似文献
6.
对C919大型客机平尾悬挂接头组件的安装工艺进行了优化,通过协调修改悬挂接头耳片交付状态要求、删除耳片底边的余量要求、完善螺栓孔的加工策略并改进配钻工艺方案,达到了提高产品精度、节省加工工时的目的。 相似文献
7.
8.
对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10~300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(~950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。 相似文献
9.
开采沉陷中的层面效应研究 总被引:2,自引:2,他引:2
根据复合岩梁理论,推出了开采沉陷中层面滑移函数和层面滑移判断式。获得了层面滑移规律:即当弹性模量一定时,随主要影响半径r的增大和最大下沉值减小,滑移间距增大;当r和最大下沉值一定时,随着弹性模量的增加,滑移间距减小;随层面抗滑力的增加,滑移间距增大。 相似文献
10.
举世瞩目的世界第三斜拉桥——上海南浦大桥,已于1991年6月建成通车。该桥为全飘浮体系的双塔双索面迭合梁斜拉桥,总长8.6km,主桥长846m,江中无桥墩,跨距423m。主桥是由钢梁和钢筋砼大板等组成的叠合梁结构,桥面宽30.35m,标高50m,通船净高46m。黄浦江东西两岸设有154m高的桥塔,主桥面依靠180根斜拉索悬挂在两岸的桥塔上,呈飘浮状态,斜拉索索面呈扇形状。主桥施工从东西两岸的桥塔开始,分别向江、岸两侧对称地逐段向外延伸(见图1)。 相似文献