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提出了一种测量铂电阻温度传感器的散热系数的简便方法。测量了不同条件下铂电阻温度传感器的散热系数,并对电阻的自热效应影响进行了探讨。  相似文献   
2.
平面工艺辐射探测器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管.采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流),这对于提高器件性能起到了关键作用.电压为-5V时,探测器的暗电流可达nA/cm2量级.讨论了器件暗电流与少子寿命的关系.  相似文献   
3.
平面工艺辐射探测器的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .讨论了器件暗电流与少子寿命的关系  相似文献   
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