受主掺杂对钛酸锶氧敏传感器的影响

简单介绍了汽车用氧传感器,总结Mg2+,Fe3+,Al3+,Li+,Ag+,Mn2+,Cu2+,Ni2+等受主离子掺杂对钛酸锶氧敏性能的影响.综合比较铁、镁掺杂钛酸锶效果较好.     

轿车发动机电控喷射系统用新型传感器的开发

天津大学在国家“８６３”新材料领域的资助下，研制开发新型氧敏薄膜材料，研制出近百个Ａ／Ｆ传感器样件。该样件材料新颖，结构简单，响应速度快，成本低，具有独立知识产权。装在夏利车上，与国外生产进行了排放控制试验比较。试验结果表明，控制能力达到国外生产件水平；响应速度比后者快。     

类钙钛矿型陶瓷结构和性能的研究

一系列类钙钛矿 (A2 BO4 )型结构的陶瓷材料被发现 .这类材料在化学催化活性、导电性、超导性、抗铁磁性和气敏性等方面都有新特点 .本工作对类钙钛矿型材料之一La2 NiO4 陶瓷薄膜的无机盐 -溶胶 -凝胶 (ISG)法制备 ,结构和性能关系作了研究 .发现用ISG法制备的La2 NiO4 薄膜仍具有K2 NiF4 型四方结构 ,其化学计量比、晶粒和气孔大小等对气敏性有明显影响 .优选出的此种薄膜 ,在 40 0～ 80 0℃氧化气氛 ,其电阻温度系数≤ 7.2× 10 - 4/℃ ,对氧 -氢气灵敏度≥ 1.0× 10     

低温烧结SrBi4Ti4O15／Ag复合材料的制备及其介电特性

摘要：采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)／Ag铁电复合材料，通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究，并测量样品的介电温度谱。结果表明：复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下：可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数，但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰。     

TiO2薄膜结构及氧敏性研究

利用溶胶．凝胶技术制备了TiO2氧敏薄膜，通过氧化物掺杂和贵金属的表面修饰，在空气气氛下烧结氧敏薄膜a结果表明：600℃～800℃下处理的薄膜是以金红石为主晶相及少量锐钛矿的混合晶型，随着温度升高锐钛矿减少，900℃时锐钛矿相的峰基本消失：800℃下处理的薄膜灵敏度明显高于600℃和900℃下处理的薄膜灵敏度。W，Ce氧化物掺杂促进TiO2薄膜微量氧化还原，增加催化反应活性，使薄膜的氧气灵敏度有明显提高：以Pd对W-TiO2薄膜进行表面修饰，使薄膜的阻温特性得到了明显提高。     

Ga2O3薄膜材料氧敏性能的研究

实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过程中,发生镓与柠檬酸的络合,并在干燥过程中依靠氢键形成大分子聚合物.采用提拉涂覆溶胶-凝胶法在多晶氧化铝基片表面形成凝胶膜后,经800℃下热处理,凝胶膜转化为单斜相β-氧化镓陶瓷薄膜.重复镀膜和热处理及超声清洗过程8个～10个周期,最后在800℃下烧结,保温1h,得到粒径为50nm～100nm左右的多孔纳米薄膜.采用自制系统检测β-Ga2O3薄膜的氧敏性能,结果表明Fe掺杂的氧化镓薄膜材料,在400℃～800℃范围内,在理论空燃比附近,电阻突变幅度大于2个数量级,具有较高的灵敏度.     

BST-MT复相陶瓷的微观形貌和相组成分析

以硝酸钡、硝酸锶和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备了钛酸锯钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)纳米粉体.用固相混合法制备了BST-钛酸镁(Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3,BST-MT)复相陶瓷.用扫描电镜观察BST纳米粉体和BST-MT复相陶瓷的形貌.通过X射线衍射分析BST纳米粉体和BST-MT复相陶瓷的相组成.结果表明:草酸盐共沉淀法合成了立方晶相的BST粉体,该纳米粉体具有较好的分散性且形貌规整.用BST粉体与MgTiO3复合所制备的BST-MT复相陶瓷由等轴状和长柱状2种晶粒组成.能谱分析结果表明:等轴状晶粒为BST,长柱状晶粒为MgTiO3;该BST-MT复相陶瓷具有良好的介电常数-温度特性.     

短切玻璃纤维(GF)增强PET复合材料的研究

通过溶液法制备了短切玻璃纤维增强PET复合材料；研究了短切玻璃纤维含量和长度对PET／GF复合材料强度的影响；并对试样冲击断口的显微结构和断裂形态进行了分析。结果表明，复合材料的强度随玻璃纤维含量的增加先提高后降低，即出现极值，随玻璃纤维长度的增加其强度略有提高；且要制得玻璃纤维分布均匀的PET／GF复合材料；KH550是PET／GF复合体系的良好偶联剂。     

掺杂Mg2+对钛酸锶薄膜氧敏性能及电阻温度系数的影响

利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜，该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料。在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子，形成SrTil-xMgxO3薄膜，其中Mg的含量，即x值分别为0，0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．30。镁在钛酸锶中取代钛位，形成受主掺杂。测试不同氧分压(0～10^5Pa)、温度(600～800℃)下薄膜的电阻。发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体。并且当x值（镁的含晨）在0．10～0．15之间、较低氧分压下，薄膜的电阻温度系数接近零。此外，还从缺陷化学反应角度讨论了此现象出现的原因。