SnO2半导体陶瓷酒敏元件 选择性和欧姆接触研究

在SnO_2主体材料中添加某种硝酸盐溶液浸泡过的α-Al_2O_3,可制成对乙醇蒸汽灵敏度高,对H_2,CO,CH_4和汽油蒸汽灵敏度很低,即选择性好的酒敏元件。采用金属-n~+-n半导体结构来实现金属电极和SnO_2半导体陶瓷之间的欧姆接触,能有效地抑制元件的金-半接触所引起的不良影响,对于提高元件性能的一致性和成品率有重要作用。本文研究了硝酸盐溶液浓度和元件灵敏度、选择性、最佳工作温度的关系。研究了不同结构的金属电极-SnO_2半导体陶瓷接触对元件性能的影响。     

砷化镓数字集成电路

集成电路问世近二十年来,在提高电路性能、集成度和降低成本等方面都取得了显著的成绩.1978年,64KRAM的研制成功标志着集成电路技术发展到一个新阶段,即由大规模向超大规模过渡的新阶段.在VLSI的研制中,除继续对二十年来一直垄断集成电路领域的硅技术进行大力研究外,超导和砷化镓技术的研究工作也很活跃.虽然     

国防教育征文 伊拉克战争中美军的通讯系统

2003年3月20日,随着伊拉克战争的发生,美军新一代战时通讯系统——蓝军跟踪(也称FBCB2)系统开始投入实战使用。如图1所示,这个以通讯卫星为基础的美军跟踪系统,以位于阿联酋的商业卫星地面站及位于科威特多哈的美军通信和指挥中心为依托,通过卫星和两个计算机网(一个是未加密的     

金属氧化物气敏传感器（Ⅲ）

由于在太阳能电池、透明电极、催化剂,特别是气敏传感器领域的重要应用,金属氧化物材料日益受到重视.现已有不少文献资料介绍金属氧化物的单晶、陶瓷烧结体和膜材的     

金属氧化物气敏传感器(V)

大多数实用气敏传感器是金属氧化物半导体或金属氧化物固体电解质材料制作的,所以,把它们分为氧化物半导体气敏传感器和氧化物固体电解质气敏传感器两类.前者利用待测气体与氧化物半导体的相互作用引起器件电导（或电阻）的变化来测定气体，后者 利用氧化物固体电解质制作的电池的电动势与气体浓度的关系来测定气体的．     

金属氧化物气敏传感器

金属氧化物气敏传感器是金属氧化物与被测气体发生作用后, 改变了它的电性质, 从 而把气体成份、浓度等化学信息转换成电的信息的一种元器件金属氧化物的电性质与材 料的点缺陷有密切的关系, 因而研究点缺陷理论对了解金属氧化物气敏传感器的作用原 理, 改善其气敏性能都是很必要的     

航天飞机和梯度功能材料

本文从航天飞机谈起，简要介绍了“梯度功能材料”的基本概念及其在信息技术领域的应用。     

酷词探讨

die，芯片，又称裸片。原意是晶体管或二极管的管芯，随着集成电路(IC)的出现，其涵义延伸到IC的管芯。封装、测试等产业群一般把wafer划片后的小片称为die。在IC制程中，IC生产往往从wafer(晶圆片)加工开始，经过氧化、光刻、选择掺杂和布线等生产、在一块wafer上可制得数十至数百个功能完全相同的电路；再通过划片工艺，封装后就成为市场上的IC产品。可见，wafer是指IC生产中划片工艺前的半导体晶圆片，chip或die是由wafer分割而成的具有一定功能的小芯片，含义都是芯片，只是IC制造的前工序产业群习称chip，封装、测试等后工序产业…     

新世纪元年电子元器件集锦

<正> EUV光刻技术 芯片(chip)是信息产业的物质基础,当前芯片工业的发展方向还是在不断减小芯片的特征线宽,从而使芯片的功能增强、速度升高、功耗降低。今天大批量生产的芯片的特征线宽已做到180～150nm,英特尔(Intel)公司已决心投巨资75亿美元改造生产设备和技术,将芯片生产工艺技术由线宽180nm提高到130nm。 决定芯片特征线宽的工艺技术中,光刻是关键。由于光的波粒二象性,当芯片的特征线宽和光刻用的光波长相近时,光刻技术的适用性就成了问题。所以开发光源波长更短的新一代光刻技术,就成了世界芯片制造商共同关心的问题。 1998年,以Intel、AMD、Infineon、MICRO Technology和Motorola五家芯片制造商为骨干的半导体制造商联合体,联合桑地亚(Sandai)国家实验室、利弗莫尔(Livermore)的劳伦斯(Lawrence)国家实验室和伯克利(Berkly)的劳伦斯国家实验室组成EUV有限责任公司(EUVLLC),集资2.5亿美元联合开发下一代芯片的光刻技术EUV。 三年前,在全球半导体工业联合体讨论会上,专家们预言,下一代光刻技术会从下面的5个当中胜出:X射线光刻、离子投影光刻、直写电子束光刻、电子投影光刻和EUV光刻。经过最近几年的研究开发,除EUV外,其他四