A2/O工艺协同处理渗滤液的预处理技术研究

针对重庆市某污水处理厂A2/O工艺协同处理垃圾渗滤液正常运行的要求,考察曝气吹脱法、MAP法、矿化垃圾法预处理渗滤液对其氨氮、COD的去除效果,同时通过对处理前后有机物相对分子质量分布的对比并综合经济比较表明,采用矿化垃圾法预处理渗滤液,不仅可以去除50％～60％氨氮、40％～50％的COD,以及大分子有机物,降低对污水厂的冲击危害,而且运行费用低廉,是较为经济有效的垃圾渗滤液预处理技术.     

对新版45～960MHz二次变频调频接收头的改进

在今年《家庭电子》第1期介绍开江乡企公司推出的调频接收头的基础上,该公司又新改进成功的FM960型45～960MHz接收头电路图如图1所示。高频调谐器仍选用改调过的全增补频道高频头,中频电路改用NE602和LA1260。NE602是通用接收机专用本振/混频集成电路,有较好的信噪比和三阶互调指标,在没有外加高放的情况     

现浇空心无梁楼盖模板工程施工应注意的问题

本文通过对一个大跨度现浇空心无粱楼盖工程实例的质量事故分析，探讨了事故产生的各方面原因，总结出大跨度现浇空心无粱楼盖施工中应注意的问题。     

基于区块链项目开发语言选型的初探

区块链技术及持续发展的各种开源区块链项目,正吸引着越来越多开发者的目光. 而繁多的主流编程语言及特色各异的区块链项目,使得开发者在开发基于区块链的系统与应用时,在技术选型上难免会有所困惑. 为此,对12个较知名的开源区块链项目,使用了源码统计工具Cloc统计其源代码,并进一步通过阅读相关代码及文档,分析和比较了其开发语言的构成. 同时,以图表的形式呈现其体量和关注度,从而为区块链开发者在选型上提供参考信息和建议.     

基于应变等效的柔性基层沥青路面轴载换算方法研究

根据国内外研究成果,选用路基顶面压应变和沥青层底弯拉应变作为柔性基层沥青路面设计指标。利用APBI程序,计算了不同柔性基层沥青路面在不同胎压、不同轴重作用下的路基顶面压应变和沥青层底弯拉应变。根据轴载换算等效原则,分别计算了基于路基顶面压应变和沥青层底弯拉应变的不同柔性基层沥青路面在轴重、胎压不同工况组合下的轴载换算指数。研究结果表明:与以沥青层底弯拉应变为设计指标相比,基于路基顶面压应变的轴载换算方法受结构组合、轴重和胎压的影响较小,更适宜用于柔性基层沥青路面的轴栽换算。     

热轧高强度钢700MC的研制开发

本文介绍了研制开发热轧高强度700MC钢的生产工艺与产品性能。研制结果表明,采用Nb、Ti、Cr的合金设计,不添加Mo、Ni等贵重元素,充分利用微合金元素Nb、Ti等细化晶粒和沉淀强化效应,提高钢种的强度、韧性和焊接性能,同时采用控制轧制和控制冷却工艺技术,开发出700MC低成本热轧高强度带钢,产品具有优良的力学性能和使用性能。     

装配式建筑重要环节质量安全监督重点探讨

装配式建筑以其无可比拟的优越性得到了快速发展,给建筑行业既带来了生机和活力,也带来了挑战和机遇。结合株洲市装配式建筑工程的发展情况和监督现状,对装配式建筑的设计和构件深化设计、构件进场验收、预制构件吊装、节点连接、防水、全装修和验收7个重要环节的监督要点进行探讨,旨在为后续工程监督提供借鉴和参考。     

新版45～960MHz调频接收头

本调频接收头几乎能接收绝大多数民用通讯系统信号。它由高频头、第一中放、第二本振/混频、第二中放、宽带音频解调、窄带音频第三本振/混频、第三中放、窄带音频解调、音频功放、调谐组件、稳压、升压电路组成。高频头采用了灵敏度较高的增补频道高频头,经改调后,频率覆盖范围为45～960MHz。TA8164及外围元件完成第一中放、第二本振/混频、第二中放、宽带音频解调。MC3359及外围元件完成     

基于模拟退火算法的连续时间系统的时域综合

提出一种近似给定脉冲响应的连续时间系统的时域综合方法。首先,基于最小均方误差准则,利用一个物理可实现的函数无限逼近给定的脉冲响应,从而形成约束优化问题,并通过模拟退火算法求解构造的优化模型最优值。将该方法应用于连续时间小波滤波器的设计和高压脉冲形成网络,以5阶Morlet小波基、7阶Marr小波基和14阶准矩形脉冲为例进行优化逼近,实验结果分析表明,其逼近误差分别仅为7.398 7×10~(-6)、2.139 6×10~(-5)和5.682 7×10~(-6),从而从实验角度进一步证实所提理论方法具有很高的逼近精度,该方法也适用于高阶系统的设计。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．