基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

利用GSM无线模块收发短消息

分析了利用GSM无线模块在PDU模式下收发短消息的方案，对PDU模式、编码解码方法、短消息控制方法进行了详细介绍，并给出了整个系统的实现。这对在许多领域实现自动化管理有一定的理论意义和参考价值。     

无定型硅基钝化膜在硅器件中的应用

本文报道了无定型硅基钝化膜在功率晶体管中的应用情况。实验结果表明:采用此钝化膜有助于改善平面p-n结的电气性能和表面抗污染能力,提高了器件的可靠性和稳定性。对此钝化机理本文也作了相应的讨论。     

一种提高的SiGe HBT实用模型

提出了一种新的基于MEXTRAM 504模型的SiGe异质结双极晶体管大信号模型。模型在保持MEXTRAM 504主要特征的条件下,省略了一些寄生效应,简化了参数提取过程。模型增加了软膝效应,软膝效应参数通过直流输出特性曲线拟合提取。模型的有效性是通过AMS 0.35um BiCMOS工艺加工的发射结面积为1×8 um2的SiGe HBT在直流,交流（50MHz-20GHz）条件下的测试数据验证的。结果表明,增加软膝效应后,模型的精度有所提高。模型由Verilog-A开发,使用ADS电路仿真器。     

支持向量机回归法在天线设计中的应用

提出了一种利用支持向量机回归进行天线设计的方法.以印刷偶极子天线为例,通过对3个主要的天线参数进行训练以捕捉天线结构尺寸和天线性能之间的关系,从而建立支持向量机回归模型.该模型在保证快速计算的前提下显示出比神经网络模型更高的计算精度,从而节省天线设计和优化时间.     

全球生铁和直接还原铁需求趋缓

2005年下半年，全球粗钢产量增长速度减慢，使得废钢、生铁和直接还原铁需求相应减少，全球主要地区市场生铁价格都有所下滑。在美国，新奥尔良地区生铁售价下跌了10～15美元／t降至250美元／t，直接还原铁和热压块铁价格下跌了20美元／t。