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1.
历史性河流廊道是社会生态系统的组成部分,识别其历史文化景观(historic cultural landscape, HCL)的服务水平,划定HCL服务供给的空间范围并提供分区管控策略,对当代社会城市规划具有重要意义。以富春江历史性河流廊道为例,以诗词文本为数据源,构建HCL总量历时性数据模型评价HCL总量;并在长时间序列视角下,以makima函数外插预测HCL服务值,通过HCL潜力模型估算HCL潜力。在此基础上,使用“总量-潜力”分布模型将研究区域划分为4种空间类型,并结合HCL的3项指标进行时序分析,提出分区管控策略。结果表明,富春江历史性河流廊道可分为:高总量-高潜力的核心区、高总量-低潜力的保护区、低总量-高潜力的更新区和低总量-低潜力的补充区。富春江历史性河流廊道HCL供给总体水平最高的空间集中在严子陵钓台、七里泷和桐君山周围的沿江区域。基于长时间序列视角,从HCL总量与潜力2个维度出发,构建HCL服务供给空间识别、预测与分类方法,为历史性河流廊道的HCL保护管理提供了明确、普适性的技术途径。 相似文献
2.
3.
目前,我国正在大力发展海洋武器装备,其无人化研究得到广泛关注,其中海上无人艇智能化是研究热点。针对我军对海上大中型目标检测和高精度定位的需求,进行基于深度学习的海上无人艇目标识别技术设计。设计了多源、多体制协同感知架构,以解决设备智能计算任务重复与资源浪费和深度学习加速问题;进行多层次特征提取、分析、融合技术设计,确定单/多传感器特征选取对象;开展基于深度学习的多特征目标检测、识别技术设计,建立基于深度学习网络的多源多维联合检测、识别处理方法。实验验证结果表明,所设计的方法对可见光图像识别率达99.7%以上,具有良好的识别效果。 相似文献
4.
《混凝土结构设计规范》(GB 50010—2010)中对于短梁受剪承载力的计算没有考虑梁高的影响,而现有研究表明无腹筋梁的抗剪承载力随梁有效高度的增加而降低。梁受剪尺寸效应的作用机制并没有统一的认识。为研究无腹筋梁的受剪尺寸效应及作用机制,设计了2组8根无腹筋梁,高度为200~1600mm,剪跨比为2.0。三点简支加载。获取了荷载 挠度曲线、纵筋应变、混凝土应变、裂缝宽度、裂缝张开 滑移位移。计算了临界斜裂缝上的应力。搜集并分析了已有的梁受剪尺寸效应试验数据。研究结果表明:无腹筋短梁抗剪承载力存在尺寸效应;骨料咬合机制对无腹筋短梁抗剪承载力贡献有限;受压区未开裂混凝土的强度具有明显的尺寸效应,进而引起了梁抗剪承载力的尺寸效应;我国规范中短梁和不配置抗剪钢筋的单向厚板的抗剪承载力计算公式基本合理,但对部分短梁和大尺寸梁的受剪承载力预测可能偏于不安全,建议在可靠度校准的基础上适当调整。 相似文献
5.
本文主要针对AP1000核电机组10.5/0.4kV低压厂用干式变压器的设计规格书与实际设备存在的技术参数偏差,根据GB 1094.5-2008和IEC 60076.5-2005中的相关理论要求,来分析该变压器承受短路冲击电流的能力是否满足要求,为后续项目变压器短路耐受能力验算提供借鉴意义,并提出了后续项目变压器采购过程中的关注点. 相似文献
6.
李烨 《精细与专用化学品》2021,29(4):46-48
介绍了环氧乙烷银催化剂技术研究现状,从催化剂载体、制备工艺等方面概述了我国环氧乙烷银催化剂技术研究进展,指出其今后的发展建议. 相似文献
7.
基于圆柱形空腔膨胀模型,将靶板变形所做的塑性功等效为刚性弹在整个侵彻过程所消耗的动能,对用于计算刚性卵形弹侵彻半无限厚铝合金靶板的侵深公式进行了推导。利用MTS万能试验机对2A12T4、6061T6、7075T6共3种铝合金材料进行了室温下的静态力学性能实验,得到了它们的真实应力-应变曲线,并将各参数代入侵深方程进行计算。通过12.7 mm穿燃弹侵彻3种铝合金靶板的末端弹道试验,得到了不同速度下3种铝合金靶板的侵彻深度,并与理论结果进行了对比验证。结果表明:该理论模型与试验结果吻合良好,推导得到的穿深方程较为可靠。同时,靶板材料的应力-应变数据的可靠性对模型预测的准确性有较大的影响。 相似文献
8.
9.
考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1%KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3质量分数为1%,pH=4时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm。 相似文献
10.
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO2磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO2、0.075%H2O2、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50)。结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大。聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好。当采用2%SiO2+0.075%H2O2+1%KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2%,Cu和Co的去除速率基本不变。 相似文献