基于FBG传感器的冲击损伤定位

针对复合材料冲击损伤,提出了一种基于光纤布拉格光栅(fiber bragg grating,简称FBG)网络的定位方法,该方法仅依据冲击期间FBG测得最大应变和FBG的相对位置,即可对被测结构进行损伤定位,并在某飞机使用的复合材料层板上进行了试验验证.试验结果表明,FBG监测的位置和实际冲击位置的最大定位绝对误差约为3.34cm,5个冲击点的平均定位误差仅为1.26 cm.该损伤定位方法所需参数少、快速且简便易行,其识别精度满足工程实际要求.     

防离子反馈膜粒子阻透率随环境温度变化的模拟研究

覆有防离子反馈膜的微通道板是第三代微光像增强器的核心部件之一。真空高温烘烤除气过程对防离子反馈膜粒子阻透特性会产生破坏性的影响。文中利用分子动力学方法模拟计算并得到Al2O3 薄膜的膜层密度随环境温度的变化规律。利用蒙特卡洛方法模拟计算了Al2O3 薄膜的电子透过率和离子阻挡率随入射粒子能量的变化曲线。得到Al2O3 薄膜的死电压在235 V 左右,同时得出防离子反馈膜离子阻挡率在入射离子能量降低后有所增加。在入射离子能量降低为250 eV 时,C、N、O 离子被Al2O3 薄膜阻挡的比率高达96%-99%。综合以上因素分析得出,随着外部温度的升高,电子透过率线性增加,而离子阻挡率非线性的下降。合理优化并调整高温烘烤时间和量值将有助于防离子反馈膜工作性能的改善。     

在多孔基底上形成免污离子壁垒超薄膜技术的新途径

文中介绍了在多孔基底MCP输入面上制作免污离子壁垒膜层的新工艺的基本原理和方法，给出了膜层成分分析和带膜MCP特性测试结果。并初步讨论了电子通过与膜最的关系，提出了尚需深入探讨的具体问题。     

东营凹陷博兴地区油气成藏动力学研究

运用油气成藏动力学的理论与方法,和对成藏要素——烃源岩、储集层、盖层、运聚史等的描述,对东营凹陷博兴地区油气成藏动力学及其输导体系、地层压力场特征分别进行了研究.认为平面上异常高压区出现在博兴洼陷中心区,纵向上分布层位为砂三中、下亚段和砂四上亚段,异常压力的分布受暗色泥岩分布和生烃作用的控制,并在一定程度上受到砂体输导层、断层等因素的影响.博兴地区输导系统特别发育,由断层、砂体输导层以及不整合面组成,基本控制了全区的油气分布:高青断层、石村断层、博兴断层控制了研究区油气的纵向运移,砂体输导层的分布控制了油气的平面分布,不整合面在局部地区是油气的重要横向运移通道.最后根据地层压力、烃源岩条件和封闭特征将研究区在纵向上分为3个成藏动力学系统,即自源封闭型、他源半封闭型和他源开放型.     

硅微通道板微加工技术研究

微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列（SMA）。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明：硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP. 制备出通道周期为6 μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。     

Simulation Investigation on Particle Transmission Characteristics of Two Different Ion Barrier Films

The simulation calculation and analysis of electron transmittance and ion stopping power for ion barrier films （IBFs） of Al2O3 and SiO2 are performed by Monte Carlo methods. The interaction model between particles and solids are described. It is found that at the same conditions, the electron transmittance for SiO2 IBF is relatively higher than that of Al2O3 IBF, and the ion stopping power of SlOE IBF is relatively lower than that of Al2O3 by Monte Carlo simulations. It is also indicated that SiO2 is one of the ideal materials for fabricating IBFs.     

水轮机转轮裂纹处理

黄河万家寨水利枢纽1#机～4#机组水轮机转轮材质为超低碳马氏体不锈钢(ZGOCrl6Ni5Mo)，其1#机组检修时发现转轮叶片与上冠的结合焊缝出现六条裂纹，其中三条为贯穿性裂纹，长度达到500mm以上，且已延伸至叶片母材，并有继续扩展的趋势，必须及时进行处理，因此万家寨电站管理局决定在现场进行处理。超低碳马氏体不锈钢做为一种新型结构用钢材，具有良好的强韧性、抗磨性和焊接性，但由于母材的刚度和厚度较大，而且现场环境较为恶劣，必须制定合理的工艺才能保证焊补的质量。本文就裂纹的处理工艺和整个处理过程进行了详细的阐述。     

十二烷基硫酸钠对槲皮素体外溶出的影响

目的建立槲皮素胶囊在四种溶出介质中溶出度的测定方法,考察表面活性剂十二烷基硫酸钠对槲皮素溶出度的影响。方法制备槲皮素对照品胶囊及含十二烷基硫酸钠的水飞蓟样品胶囊,采用桨板法,转速为100 r·min~(-1),用紫外分光光度法分别测定槲皮素对照品胶囊与槲皮素样品胶囊在四种溶出介质中的溶出度。结果在pH1.2和pH4.0缓冲溶液的溶出介质中,槲皮素样品胶囊的溶出度小于槲皮素对照品胶囊;在蒸馏水和pH6.8缓冲溶液的溶出介质中,槲皮素样品胶囊的溶出度大于槲皮素对照品胶囊。结论在偏碱性的条件下,十二烷基硫酸钠对槲皮素具有增溶作用。     

二次HDDR工艺制备的高矫顽力各向异性钕铁硼磁粉

采用二次HDDR工艺(简称"t-HDDR工艺")制备了高矫顽力各向异性钕铁硼磁粉。研究了化学成分和工艺参数对磁粉性能的影响。结果表明:t-HDDR工艺对于化学成分为RxTbalByMz的磁粉均适用;稀土元素R(Pr、Nd、Dy等)与低熔点添加元素M(Ga、Cu、Al等)含量越多,t-HDDR工艺对磁粉矫顽力的提升幅度越大;在t-HDDR工艺的首次HDDR工艺中,实施"完全脱氢"工序,可以最大限度地提升磁粉的矫顽力;相对于常规的单次HDDR工艺,t-HDDR工艺可使RxTbalByMz系各向异性钕铁硼磁粉的矫顽力Hci提高160~320k A/m(2~4k Oe)。t-HDDR工艺操作简便、原材料成本低,所生产的磁粉不仅矫顽力高,而且剩磁与最大磁能积也相对较高。