半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件建模与优化系统

随着器件尺寸的缩小,器件特性空间变得越来越复杂.如果仍采用手工参数调整的方法,不仅需要有较好的器件物理知识,而且也不一定能得到合适的结果.为节约设计时间,对半导体器件建模与优化系统(MOSSED)进行了研究与实现.该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合,以得到所需要的器件.通过一些实例对部分功能进行了说明,并和一些已有的系统进行了比较.     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

半导体折射率波导激光器谐振模式的自洽计算

用数值方法对半导体折射率波导激光器的模式进行了研究．提出了一种方法可以高效并且自洽地求得谐振腔内的模式分布．利用该方法对一种ＧＲＩＮ－ＳＣＨＢＨＳＱＷ激光器的波导谐振腔的光子能量相关的模式特性进行了数值计算,分析了阱宽、阱内载流子浓度等因素的影响     

一个Ga_(1-x)Al_xAs的折射率模型

我们开发了一个高纯Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的室温折射率模型,适用于直接禁带以上和以下部分,并在禁带处连续．对与１．２和１．８ｅＶ之间的能量的光子,模型与实验符合得很好．该模型也可推广到ＧａＩｎＡｓＰ等其它半导体材料     

一种用于加载模型的模型描述语言及其在参数提取软件中的实现

针对半导体模型在参数提取软件中的实现方法,提出了采用语言描述半导体器件信息的观点,并设计了具体的模型描述语言。用户可通过模型语言描述与模型相关的一系列信息,使其在参数提取软件中得以方便地实现。模型描述语言语句与特定的模型及参数提取软件无关。语言采取Ｃ语言风格,用户可以很方便地使用该语言描述半导体模型,编译系统将处理这些信息,并进行适当的转化,直到生成模型加载工作所需要的一切代码。     

高压功率集成电路的混合模拟

提出了高压功率器件统一网络模型,并在SPICE3和PISCES2B的基础上,利用两级牛顿迭代法,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件.利用该软件对一个高压LDMOS开关电路进行了混合模拟.通过该种模式的模拟,能直接分析器件参数对电路性能的影响,为高压功率集成电路的设计提供了方便.     

LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析

本文考虑了晶体管各种寄生电容和阈值衬底调制效应,导出了单管动态RAM中S/R放大器检测灵敏度与材料、工艺、电路参数间的定量关系。计算机模拟表明,导出的灵敏度公式与模拟值在很宽的节点电容变化范围内都符合得较好,揭示出了提高极限灵敏度的途径。     

响应表面法在工艺综合中的应用

通过实例,介绍多分区响应表面法的优点及其给工艺综合带来的好处,并用其构建的响应表面模型分析工艺窗口带来的影响.     

短沟道MOS阈值电压物理模型

通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器 MINIMOS的结果符合