SVPWM逆变器谐波数值分析

本文对SVPWM输出电压谐波作了数值分析,研究了在全电压范围内谐波分布情况、数值大小以及随调制度M的变化趋势,并与SPWM进行对比。结果表明,SVPWM的谐波分量相对较多,在全电压范围内与同次的SPWM谐波分量在数值及变化特征方面均有不同。在相同载波比N条件下,当M0.35时,SVPWM的电流畸变率THDi值较大;当调制度M≥0.35时,SVPWM的THDi值低于SPWM。搭建了TMS320F2812的DSP为控制核心的硬件实验平台,所得SVPWM谐波实测结果与计算值相吻合,为客观评估SVPWM技术性能及消除谐波提供了依据。     

食品微生物检验的质量控制

随着人们生活水平的不断提高,食品安全问题越来越受关注,对于食品微生物检验工作来说,需要针对检验步骤等方面,将各方面的检验工作质量落实到位,从根本上强化检验工作质量。本文对食品微生物检验方法进行分析,提出了强化食品微生物检验质量控制的有关措施,以给相关人员提供参考和帮助。     

石墨坩埚浸渍法抗氧化试验研究

研究了浸渍剂组成及浸渍工艺方法对石墨坩埚试样抗氧化性能的影响及作用机理。结果表明 :试样浸渍Al/P比值为 1/2的酸式磷酸铝、控制工艺过程中浸渍剂和试样的温度在 90℃左右 ,石墨坩埚试样浸渍处理后可获得较理想的抗氧化性能。浸渍酸式磷酸铝试样在 10 0 0℃以下的抗氧化是 [Al(PO3) 3] n对试样的包覆及填充作用 ,在 10 0 0℃以上则是Al(PO3) 3分解后的AlPO4 发挥作用。     

搅拌磨加工釉浆对釉面质量影响的研究

卫生陶瓷釉面质量的好坏直接影响其档次与价格。获得色调一致、晶莹亮泽、平滑细腻釉面的途径:一是调整、改进釉料配方;二是改进生产加工工艺。在釉料配方基本相同条件下,有些生产厂釉面质量达到国际标准的要求,而有些厂釉面质量差,釉面波纹、棕眼等缺陷严重,其主要原因是釉料加工工艺不合理,釉料粒径大、分布宽。所以改进釉料加工工艺是相当重要的。本文就采用球磨机串联搅拌磨的二次研磨技术,改善釉浆性能,提高釉面质量做如下探讨。1试验1.1釉料采用石英、长石、苏州土、滑石、氧化锌、石灰石、锆英石等原料。硬质原料的入磨最大粒径大于5…     

AlN微粉非等温氧化动力学研究

以d50为5μm的A1N微粉为原料,在气氛组成为4/5N2+1/5O2、流量为55mL/min、升温速率为10℃/min的条件下,采用TG-DTA和XRD分析对AlN微粉的非等温氧化反应过程和动力学参数进行研究.结果表明:d50为5μm的AlN微粉明显氧化增重过程约为900℃之后,其反应过程受反应机制和扩散机制交替控制...     

数据库形式化安全策略模型建模及分析方法

目前数据库形式化安全策略模型存在抽象层次较高、缺乏对数据库状态与约束的充分描述等问题,难以辅助用户发现商用数据库设计中的微小缺陷。提出了一种基于PVS语言的数据库形式化安全策略模型建模和分析方法,该方法较以往模型能够更加贴近实际数据库,应用范围更广,安全属性描述更加完整,描述的模型具有灵活的可扩展性,并且保证了建模与验证的效率。最后,将该方法应用于数据库管理系统BeyonDB的安全策略建模分析中,帮助发现了系统若干设计缺陷,证明了方法的有效性。     

基于单处理器的组合式三相逆变电源分相调制技术

本课题研究的组合式三相逆变电源是基于单相逆变电源设计,采用分相调制策略控制各相的输出电压,使三相逆变器输出电压对称。组合式逆变器的输入侧由中频发电机供电,输出侧的一端直接相连形成中性线。这种拓扑使逆变电源既能满足三相负载对称或者不对称运行,也能满足单相负载运行。本课题仅用单个DSP处理器产生12路PWM波,节省了芯片资源。实验结果表明,该方案满足逆变电源供电需求,输出三相电压对称性良好。     

小角X-射线散射法测定Pd-Al2O3催化剂上钯颗粒尺寸

用小角X-射线散射法测定了Pd-Al₂O₃催化剂上金属把粒子的大小。使用少量电子密度与Al₂O₃相似的有机液体—— CH₂I₂,消除了载体氧化铝微孔的背景干涉散射,CH₂I₂的适宜用量与样品的比孔容有关。SAXA的分析结果与SEM结果对照认为二者基本上是吻合的。     

在NiW合金基底上用化学溶液法制备CeO_2/La_2Zr_2O_7过渡层

采用化学溶液方法(CSD)在立方双轴织构的NiW合金基底上制备出了CeO2/La2Zr2O7(LZO)过渡层。利用常规XRD和XRD四环衍射仪对薄膜的取向进行了研究,结果显示CeO2薄膜和LZO薄膜具有很强的面内和面外取向,其中,CeO2(111)面φ扫描的半高宽值(FWHM)约8.35°,(200)面ω扫描的FWHM值约为6.54°。用高分辨扫描电子显微镜观察到薄膜表面致密平整,没有裂纹和孔洞。原子力显微镜测试结果表明,在30μm×30μm范围内,CeO2薄膜表面均方根粗糙度(Rrms)为5.9nm。     

粒径与加热速度对金属Al氮化过程的影响

在氮气流量为55 ml/min条件下,分别以5,10,15 ℃/min的加热速率对不同粒径(d_(50)为62,29,7.5μm)的金属Al粉进行了TG-DTA分析和反应活化能的研究.结果表明:在相同的实验条件下,随Al粉粒径的减小和加热速率的增大,生成AlN的反应活化能降低;在N_2流量55 ml/min和加热速率5 ℃/min条件下,d_(50)= 29 μm和d_(50) =7.5 μm Al粉生成AlN的主放热峰温比d_(50) =62 μm Al粉的分别可降低140和250 ℃.在N_2流量55 ml/min条件下,d_(50)= 7.5 μm Al粉以10和15 ℃/min为加热条件的氮化反应速率比5 ℃/min的提高0.9和1.7倍.Al粉反应生成AlN的全过程,主要由界面反应和内扩散反应交替完成,且整个反应过程应为扩散机制控制.