Si1—xGex合金半导体及其应用

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广阔和应用价值。     

氢射气探测采空巷道的应用

介绍了利用氯射气探测采空巷道的厚理和方法，通过对异常解释的综合分析，探出了呆空巷道。     

构造煤分布的地质控制及其地震地质一体化预测方法——以沁水盆地阳泉新景矿3号煤层研究为例

构造煤与瓦斯及煤层气密切相关。由于构造煤分布具有强烈的非均质性,现有基于地质预测与地球物理直接识别的构造煤分布预测成果难以满足煤矿瓦斯超前治理及煤层气开发的精度要求。以沁水盆地阳泉新景矿3号煤层为例,利用区内钻孔煤芯数据、采掘巷道中煤体结构的连续观测数据以及三维地震成果资料,研究煤层中“软煤”(碎粒煤和糜棱煤)的分布特征,交会分析其与煤层赋存形态、断裂系统、聚煤前后地层层序砂地比、煤层厚度等地质特征参数的关系,厘清构造煤发育的主控地质要素,得出构造煤分布受构造-围岩-煤层“三元”突变耦合控制的认识。在此基础上,提取三维地震数据及解释成果中对构造煤分布具有主控作用的3类共6种地震地质表征属性,采用灰色关联法构建基于多属性融合的构造煤分布预测模型,预测研究区3号煤层中的“软煤”分布情况,经采掘及后续煤层气开发井验证,预测精度较高,证明了该方法的有效性及可行性,为精准预测构造煤分布提供了一种新的技术思路与方法。     

ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。     

光致负阻器件的振荡特性

通过对光致负阻器件的进一步研究,我们发现利用光脉冲可以方便地控制这种器件输出的振荡波形的个数。另外,输出振荡波形还可以通过在适当的电偏置之后加较弱的入射光或完全由电注入而获得,这就为此器件的应用提供了广阔前景。     

高速公路注浆处理采空区的质量控制措施

介绍了一套对采空区的工程质量进行全面控制的可操作的组织措施、技术措施，以及自检、自我评价的标准。     

灌注桩后压浆技术及应用

分析了灌注桩设计及施工过程中常遇到的困难，提出了后压浆技术这一解决途径，介绍了后压浆技术的设计原则，并列举了后压浆技术在工程中的应用实例，以正确应用该技术。     

Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱

在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．     

Experimental studies of N~+ implantation into CVD diamond thin films

The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultraviolet photoluminescence spectroscopy (UV-PL), Fourier transformation infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the N+ implantation doping without any graphitization has been successfully realized when 100 keV N+ ions at a dosage of 2 × 1016 cm-2 were implanted into diamond films at 550℃ . UV-PL spectra indicate that the implanted N+ ions formed an electrically inactive deep-level impurity in diamond films. So the sheet resistance of the sample after N+ implantation changed little. Carbon nitride containing C≡N covalent bond has been successfully synthesized by 100 keV, 1.2×1018 N/cm2 N+ implantation into diamond films. Most of the implanted N+ ions formed C≡N covalent bonds with C atoms. The others were free state nitroge