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本文提出了一种具有软开关特性的串联电容型高频高增益双向DC-DC变换器。在传统的基于耦合电感的升降压电路的基础上,引入了一个电容和一个开关管,有效提升了变换器增益。同时构造了基于串联电容谐振回路,为开关器件的软开关创造条件。并且为了减少振荡和无源器件的体积,可将耦合电感的漏感作为谐振电感,从而减少了无源元件数目,在高频工作条件下可实现高功率密度和高效率。本文详细介绍了该变换器的工作原理和参数设计方法,并搭建了一台48V/5V、50W、750kHz的实验样机,相关结果证明所提拓扑及设计方法的正确性。 相似文献
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以前在人们常规概念的“家电”范畴中,“游戏机”一词大约还提不到太高的位置,因为它属于诞生不久的新事物,且刚刚出现于市场上时,各方面水平还很低,并没有引起更多人的兴趣。但随着科技的进步,游戏机由八位到十六位,由十六位到三十二位,在游戏画面素质和音效等方面的日新月 相似文献
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花生是我国重要的油料经济作物, 也是我国出口欧盟、日本等国家的主要农产品之一, 但其在收获后到出口这段时间内, 极易受到各种真菌的污染, 引起霉变、品质下降、黄曲霉毒素含量超标, 从而给食品安全造成极大隐患。黄曲霉毒素超标已成为制约我国花生产品出口的重要瓶颈因素, 给我国出口企业造成了巨大的经济损失。目前, 花生贮藏过程中黄曲霉毒素发生原因尚不完全明确, 本文主要分析了花生从收获到出口的贮藏、运输过程中, 环境因子、花生自身品质、食品包装材料等因素对黄曲霉毒素产生的影响, 为花生产品的出口在风险预警、监管与防控等方面提供一定的理论指导, 为科学制定花生贮藏、运输过程中黄曲霉毒素污染的防控措施奠定基础。 相似文献
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双工字钢-混组合梁桥由于其对材料性能的充分利用和简洁的构造形式,在中小跨径梁桥中已成为非常具有竞争力的桥型。工字主梁间距与横梁间距是双工字组合梁桥设计的关键因素,因此,设计了5种不同的主梁间距与横梁间距来研究其对双工字组合梁桥结构性能的影响情况;采用有限元软件ANSYS建立相应的3D有限元桥梁模型进行了数值研究。研究结果表明:横梁主要作用是保证主梁间传递荷载和结构整体稳定性,适当密度的横梁是桥型优化的关键;主梁间距对桥面板的受力情况影响显著,但需要控制悬臂端长度与内侧长度的比值。 相似文献
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经济的发展和科技的进步,使得我国许多行业的许多领域都在新阶段面临着严峻的考验.现阶段人们在生产生活所需要的电力和电能越来越多,使得电力行业和供电企业在当前阶段的工作将以满足供电需求为主,并且也要注意到输电线路运行检修技术和防雷策略的提出和落实.因为受到工业中电力系统发展落后导致电力系统运行出现了很多故障和问题,使得35kV及以上的等级架空线路无法再实际工作中有效运行,所以需要研究人员针对这些现象采取有效技术和策略来避免不必要的风险和损失,才能完成现阶段社会建设对于供电企业的经济效益和社会效益的目标.在本文通过分析输电线路运行检修技术及防雷策略的概况,结合已有的研究和实际的案例,对输电线路运行检修技术及防雷策略的具体应用进行具体和系统阐述. 相似文献
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提出一种基于临界模式Boost电路与LLC谐振电路的单级交直变换器,由于其通过输入分压与LLC谐振电路的两个开关管各形成一个临界模式的Boost电路,实现了开关管的集成,降低了系统成本。同时Boost电路工作在临界模式,实现了功率因数校正作用,开关管的集成并没有改变LLC半桥谐振电路的软开关特性,降低了变换器中开关元件的损耗,在一定程度上提高了变换器效率。通过一100 W实验样机的实验验证可知,系统满载时功率因数高达0.975,总谐波失真(THD)为21.5%并满足IEC 63000—3—2的标准,效率为90.8%。 相似文献
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1.法国品牌设计发展背景
法国是时尚的都市,但法国并非是"品牌"的代名词,就汽车品牌来说法国并非数一数二,各行各业都有着非常知名的品牌,源于法国的细数不过沧海一粟,但说到"高档"无一不会让人想到法国品牌以及法国奢侈品,法国人是如何让这种观念深入人心,如何传播其品牌观念,可以从法国近代历史来研究."文化即传播,传播即文化",艺术文化在传播过程中按一定的方式进行互动,同时创造了某种新的互动方式[1]——品牌,纵观法国历史,艺术如同呼吸一般自然得伴随着法国各个时代的兴衰,在品牌设计上法国人自然会将自己的产品、时尚和艺术相联结,艺术文化的底蕴给法国的商品带来一种自然而然的高贵感,这也是法国品牌或奢侈品的核心理念,它让人认为自己购买的并不是物品本身,购买的是对艺术的欣赏和这个品牌所特有的艺术设计. 相似文献
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随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈,宽禁带半导体器件(GaN、SiC)在诸多方面展现出了很好的性能,如低导通阻抗,小输入、输出电容等,这些特性使得GaN和SiC器件能够应用在更高的开关频率条件,从而提高系统的功率密度。针对基于GaN FETs构成的高频半桥谐振变换器进行设计,分析了高频条件下寄生电感参数对系统驱动电压及漏源极电压的影响,同时分析了高频条件下系统电压电流测量所需注意的事项及影响因素,为高频条件下GaN FETs的应用提供一定的帮助。 相似文献