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非晶态SiO_2掺杂Fe~(2+)薄膜气敏特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研制成功一种以SiO2作为主体,掺杂Fe2+离子薄膜制备的气敏元件,对CO气体有良好的气敏特性。它的线性范围为1.2×10-4~8.92×10-3mol·dm-3,检测下限为5×10-5mol·dm-33,响应速度≤5s.本工作以非晶态半导体的Mott-Davis能带模型结合表面吸附理论,初步探讨了该材料的气敏机理,确立了元件阻值R与吸附浓度C的关系方程,以此解释元件的气敏特性.该方程对非晶态SiO2掺杂薄膜是普遍适用的。  相似文献   
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