Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.     

Bluetooth技术概论

本文概述Bluetooth技术的协议栈、硬件系统的功能、Bluetooth网络Piconet和Scattemet的原理以及连接、数据分组、纠错、鉴权和保密等主要技术。Bluetooth技术以低成本、近距离无线链接为基础，为固定设备与移动设备之间建立低功耗的特别互联，实现数据和语音通信，这使Bluetooth技术有着广阔的应用前景。     

汽车用时钟芯片PCF1178C的在线编程

文章介绍了Philips公司生产的汽车用时钟芯片PCF1178C的特点及频率误差补偿和LCD电压设定的编程方法。文中给出了编程器硬件结构和软件框图。     

Bluetooth ASIC接口技术

介绍Bluetoooth ASIC芯片开发情况以及由两芯片组（或单芯片组）构成Bluetooth模块的方法，并通过Bluetooth模块与主机设备之间的HCI接口设计，来形成Bluetooth设备。     

硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .     

基于L4981A的车载充电机APFC装置的研制

课题研制了一种电动汽车用车载充电机的功率因素校正装置,主回路采用Boost型变换器,以L4981A作为功率因素校正的控制核心,对系统的主回路的参数进行了计算,设计了硬件的控制电路。样机实验结果表明,该系统获得了较高的功率因素和较好的动态性能,可靠性高。     

基于Bluetooth技术的个人多媒体无线网络系统应用研究

Bluetooth技术能在短距离内用无线接口代替有线电缆连接,实现个人多媒体无线网络系统.本文介绍了Bluetooth技术的基本特性,讨论了基于Bluetooth技术的多媒体无线网络系统(PMWNS)的结构和通信协议软件栈,并对PMWNS的主/从单元连接建立和多PMWNS的从单元资源共享等问题进行了研究.     

SBS改性沥青研究

ＳＢＳ改性沥青研究蒋伟荣，缪建明（苏州防水材料厂研究所２１５００１）近年来随着人们居住条件不断改善，对防水材料和防水施工的质量要求不断提高，改性材料日益受到人们的重视，本项目是以ＳＢＳ与渣油共混并采用玻纤胎、黄麻胎生产的卷材。１实验原料１．１改性材料...     

Bluetooth PAN控制机制及其实现

通过对 Bluetooth PAN的自组织网络 SON( Piconet&Scatternet)和网络访问点 NAP( Networking AccessPoint)两种模式的控制机制进行分析和研究 ,给出了 Bluetooth PAN的一种实现结构。Bluetooth PAN是 Bluetooth技术的一种重要应用 ,有着极为广泛的应用领域