掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构．对于只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大．这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的．而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度．相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论．     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

激光美容仪温度探测报警系统研究

利用激光在皮肤中的传导及应用红外传感器探测皮肤温度的原理 ,设计激光美容手术温度控制模型 ,控制激光手术安全。本系统具有提高激光手术的安全性能 ,推广激光治疗的作用     

新型光湿敏元件及应用

介绍了利用硅作衬底的陶瓷钛酸镧锶（SrLaTiO3)材料的半导体元件，独特的MIS结构元件，既具有光的特性，又可以测量湿度信号。利用光、湿敏特性元件设计成光、湿敏传感器。     

双基色电子显示屏设计研究

介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,并分析了其设计的几种方法,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能。     

P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器研究

介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AIGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考.     

测量仪表的多机通讯

本文介绍了计算机与多台LED测量仪的多机通讯方法，设计了通讯接口电路，设置了多台测量仪通讯的口令，可以比较好地实现测量仪之间、测量仪与计算机之间的正常通讯，以及数据传送。最后将测量仪的测量数据保存在计算机的硬盘上。     

基于软硬件保护的锂离子蓄电池安全控制电路

针对锂离子蓄电池在充放电过程中容易出现的过充、过放、过流、过温问题,设计了基于软硬件保护的锂离子蓄电池保护电路。电路使用软件和硬件双重保护,并通过红外探测技术实现电池表面过高温度保护。电路特点是结构简单。通过实验证明了该电路安全、高效,有着良好的应用前景。     

磁传感器及其应用

介绍了磁传感器和由它组成的磁场测量系统。对磁传感器的非线性、温度误差进行补偿。通过对磁场曲线形状的处理 ,测量数据误差计算 ,判断出最大误差点和数值。通过打印机绘图仪输出了磁条的磁场 (B)与长度 (L)的曲线、磁辊的磁场 (B)与角度 (DEG)的曲线     

新型硅激光器系统的优化设计

通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统.该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器.建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形.该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景.