国家正式批复设立区域电力监管机构

国家电力监管委员会遵照党中央、国务院对电力体制改革的总体要求,根据中央机构编制委员会办公室批复,设立华北、东北、西北、华东、华中、南方等6个区域监管局(简称电监局),并向有关城市派驻监管专员办公室。区域电监局的主要职责是:依据电监会授权,监管电力市场运行,规范电力市场行为,     

光刻胶树脂结构与性能技术进展

光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。     

用衰减全反射红外光谱研究纳米SiO2粒子在复合涂层中的迁移现象

用衰减全反射红外光谱(FTIR-ATR)技术研究了纳米SiO₂粒子在紫外光固化复合涂层中的迁移现象,并对影响纳米SiO₂粒子在涂层中分布梯度的因素进行了半定量分析。研究结果表明,纳米SiO₂粒子在光固化过程中向涂层接触空气的表面迁移,在表面层富集。当纳米SiO₂粒子含量较高、分子量较小、接枝率较高,或者在极性较大的基体树脂中时,迁移较快,分布梯度较大。      

60Co-γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

采用1.25Mev 60Co γ射线辐射源对钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行了1Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现：1Mrad总剂量辐射后未钝化器件的饱和漏电流和最大跨导分别下降了15%和9.1%,而且正向和反向栅电流明显增加,但是阈值电压几乎没有发生变化。相反的,同样的累积剂量下,钝化器件的饱和漏电流和最大跨导却基本没变。通过对钝化前后器件的不同辐射反应以及C-V测试的分析表明,栅-源和栅-漏间隔区辐射感生表面态负电荷的产生是低剂量下AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因,同时也说明钝化可以有效地抑制60Co γ辐射感生表面态电荷,它是一种有效的加固手段。     

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.     

直埋供热管网泄漏原因分析及检测

本文从直埋供热管网的设计、施工、运行、材料设备及周边环境等方面,分析了造成直埋供热管网泄漏事故的原因,并提出了相应的应对措施。同时,简要介绍了目前常用的直埋供热管网泄漏检测方法及选择原则。     

PVA-TEOS/PAN渗透汽化膜的制备及其乙酸乙酯脱水

以聚丙烯腈(PAN)中空纤维超滤膜为底膜,以聚乙烯醇(PVA)和正硅酸乙酯(TEOS)的混合液为涂膜液,采用溶胶-凝胶法制备了PVA-TEOS/PAN渗透汽化复合膜,并用于乙酸乙酯脱水. FT-IR和XRD谱图证实复合膜表层中由于PVA与TEOS的交联反应而形成了Si?O?C共价键,且PVA的结晶度下降. 另外,利用静态接触角测量对复合膜表层的亲水性进行了表征. 考察了复合膜在乙酸乙酯水溶液中的溶胀性能及涂膜液中TEOS含量和料液温度与浓度对PVA-TEOS/PAN复合膜分离性能的影响. 结果表明,TEOS的加入有效降低了复合膜在乙酸乙酯水溶液中的溶胀度,使其对水具有较好的分离选择性. 40℃下,涂膜液中TEOS质量含量分别为5%和30%的PVA-TEOS/PAN复合膜分离98%的乙酸乙酯水溶液时,其分离因子分别为2830和4448,渗透通量分别为49.4和41.4 g/(m2×h).     

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.     

新型槽栅MOSFETs的特性

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.