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石墨烯器件的规模制备是石墨烯材料从实验室研究走向市场应用的关键技术。基于大面积化学气相淀积(CVD)石墨烯,结合微加工技术,对石墨烯圆片级制备工艺进行了初步研究。优化了光学光刻和反应离子刻蚀(RIE)等工艺参数,设计了一套适用于4英寸(1英寸=2.54 cm)硅衬底圆片级制备石墨烯器件的完整工艺流程,可以减少光刻次数,降低工艺成本。测试结果表明,单个圆片的器件成品率可达90.6%,圆片内器件具有较好的均一性,制备的石墨烯热电单元阵列在冷热端温差为5.2℃时,输出电压可达3.52 mV,高于已报道的同类石墨烯器件。 相似文献
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会议确认了2009年10月中国西安会议的会议纪要,讨论了11项正在制定的标准:
·IEC62047-5Ed.1.0:射频MEMS开关(征询意见草案);
·IEC62047-7Ed.1:用于射频控制和选择的MEMS体表面波(BAW)滤波器与双工器(征询意见草案); 相似文献
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通过大量实验并对硅高温键合的机理进行研究发现,键合高温处理温度和时间是实现良好键合的关键。通过对键合处理温度和时间的优化,已成功地实现了直径为1.5英寸硅片的大面积、均匀键合,键合体抗拉强度达100kg/cm~2,中间氧化层厚度在自然氧化层与2μm之间。通过预刻键合界面测试图形和分割解剖键合片,证实了红外热像技术检测键合界面空洞的可靠性,对键合不良区域的分辨率为2×2mm~2。 相似文献
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