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2.
Wen  Pushan  He  Rui  Li  Xiang-Dan  Lee  Myong-Hoon 《Journal of Materials Science》2022,57(1):755-765
Journal of Materials Science - Three polyimides (PIs) were prepared from a diamine containing biphenyl ester group as a side chain and a corresponding dianhydride chosen from...  相似文献   
3.
Journal of Materials Science -  相似文献   
4.
Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
5.
Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
6.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
7.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
9.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

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10.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - In the recent years, metal oxides have attracted more interest for researchers because of their applications in energy and...  相似文献   
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